[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201911194501.7 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111244173A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 彭成毅;谢文兴;陈文园;何炯煦;李松柏;田博仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/167;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体线，具有沟道区域；
栅极结构，包裹所述沟道区域；
源极/漏极区域，与所述沟道区域相邻；以及
源极/漏极外延层，其中：
所述源极/漏极外延层包括外延形成在所述源极/漏极区域上的第一外延层、外延形成在所述第一外延层上的第二外延层和外延形成在所述第二外延层上的第三外延层，以及
所述第一外延层包括选自由SiAs层、SiC层和SiCP层组成的组中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延层包括SiAs层、SiC层和SiCAs层中的一个。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延层包括SiP层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三外延层包括选自由SiAs层、SiC层、SiCAs层和SiCP层组成的组中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第三外延层包括SiAs层、SiC层和SiCAs层中的一个。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第三外延层包括SiP层，所述SiP层的P浓度低于所述第二外延层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延层具有比所述第一外延层和所述第三外延层更大的厚度。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一外延层的厚度在从1nm至3nm的范围内。
9.一种包括全环栅场效应晶体管(GAA FET)的半导体器件，所述全环栅场效应晶体管包括：
多条半导体线，所述多条半导体线的每条均具有沟道区域和与所述沟道区域相邻的源极/漏极区域；以及
源极/漏极外延层，其中：
所述源极/漏极外延层包括外延包裹每条半导体线的所述源极/漏极区域的第一外延层、外延形成在所述第一外延层上的第二外延层以及外延形成在所述第二外延层上的第三外延层，
所述第二外延层包括P，以及
所述第一外延层包括抑制P从所述第二外延层扩散至所述源极/漏极区域的材料。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
在源极/漏极区域上方形成由SiAs制成的第一外延层；
在所述第一外延层上方形成由SiP制成的第二外延层；以及
在所述第二外延层上方形成由SiAs制成的第三外延层，其中：
所述第一外延层中的As的量与所述第三外延层中的As的量不同。
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