[发明专利]一种低杂散高线性度的DCO电路

权利要求书

1.一种低杂散高线性度的DCO电路，其特征在于：包括DCO控制器(1)和由所述DCO控制器(1)控制的奇偶电容阵列(2)；

所述奇偶电容阵列(2)包括奇数电容阵列和偶数电容阵列；

根据所述DCO控制器(1)产生的信号确定奇数电容阵列或者偶数电容阵列处于工作状态。

2.根据权利要求1所述的低杂散高线性度的DCO电路，其特征在于：所述DCO电路还包括PMOS管M1、M2和M3和两个线圈电感L；

所述奇偶电容阵列(2)电路的VO+端与PMOS管M1源极、线圈电感L连接；

所述PMOS管M1漏极分别与PMOS管M2源极和PMOS管M3源极连接；

所述PMOS管M2漏极与奇偶电容阵列(2)电路的VO-端、线圈电感L连接；

所述PMOS管M3与PMOS管M1、PMOS管M2连接。

3.根据权利要求1所述的低杂散高线性度的DCO电路，其特征在于：所述DCO控制器(1)包括DCO解码器(3)，与所述DCO解码器(3)连接的奇偶编码控制器(4)和一阶∑Δ调制器(5)，以及与所述一阶∑Δ调制器(5)连接的RC滤波器(6)；

所述DCO解码器(3)向所述奇偶编码控制器(4)发送整数控制字信号，所述奇偶编码控制器(4)根据整数控制字信号产生奇偶选择信号和整数调制信号；

所述DCO解码器(3)向所述一阶∑Δ调制器(5)发送小数控制字信号，所述一阶∑Δ调制器(5)根据小数控制字信号产生小数调制信号，小数调制信号经所述RC滤波器(6)滤波后发出。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的低杂散高线性度的DCO电路，其特征在于：所述奇数电容阵列包括二极管D1、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、电容C1、电容C2、电感L1和电感L2；二极管D1的阴极分别连接一号PMOS管M4的栅极和PMOS管M7的栅极，PMOS管M4源极与PMOS管M5源极连接，PMOS管M4漏极与PMOS管M4漏极连接，PMOS管M5的栅极与PMOS管M8的栅极连接，PMOS管M8源极与PMOS管M9源极连接，PMOS管M8漏极与PMOS管M9漏极连接，PMOS管M4漏极与PMOS管M4漏极的连接处和PMOS管M8漏极与PMOS管M9漏极的连接处连接，PMOS管M4漏极与PMOS管M5漏极的连接处分别与PMOS管M6源极和PMOS管M7源极连接，PMOS管M6漏极与PMOS管M7漏极连接，PMOS管M6的栅极分别与电容C1的一端和电感L1的一端连接，PMOS管M9的栅极分别与电容C2的一端和电感L2的一端连接，PMOS管M5的栅极与PMOS管M7的栅极连接处连接二极管D1的阳极。

5.根据权利要求4所述的低杂散高线性度的DCO电路，其特征在于：所述PMOS管M3阴极一端与PMOS管M4源极连接处与DCO解码器1的T-I<N:I>的输出端连接，PMOS管M7阴极一端与PMOS管M8源极连接处连接DCO解码器1的T-F输出端，PMOS管M4的栅极与PMOS管M7的栅极连接处连接DCO解码器1的sel<N:1>的输出端。