[发明专利]一种异质结电池制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池制备方法，其特征在于：先将单晶硅衬底进行双面表面织构化，再将织构化的单晶硅片正背面沉积本征非晶硅层，然后再在本征非晶硅层的正背面沉积掺杂非晶硅后沉积透明导电薄膜并进行金属电极的丝网印刷形成电池片，其特征在于：在印刷金属电极后进行后续固化，在后续固化过程中或固化结束后在电池片正背面进行注入电流处理，电流注入过程中，限定注入电流1-20A，工艺温度控制50-250℃，最后将经过电流注入后的电池片进行测试分选。

2.按照权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于：所述单晶硅为N型，单晶硅的厚度为50-200μm，电阻率为1-9 Ω·cm。

3.按照权利要求1或2所述的异质结电池制备方法，其特征在于：所述单晶硅衬底通过碱腐蚀的方式进行双面表面织构化，绒面大小控制在1-9μm，碱溶液选为KOH或NaOH。

4.按照权利要求3所述的异质结电池制备方法，其特征在于：所述本征非晶硅膜层的厚度为5-20nm。

5.按照权利要求1、2或4所述的异质结电池制备方法，其特征在于：所述本征非晶硅层的正面采用的掺杂非晶硅为P型非晶硅膜层或N型非晶硅膜层，本征非晶硅层的背面采用的掺杂非晶硅为N型非晶硅膜层或P型非晶硅膜层，所述P型非晶硅膜层厚度为5-20nm，N型非晶硅膜层厚度为5-30nm。

6.按照权利要求5所述的异质结电池制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜的镀膜厚度为60-120nm。