[发明专利]一种异质结电池制备方法

说明书

本发明公开了一种异质结电池制备方法。在印刷金属电极后进行后续固化，在后续固化过程中或固化结束后在电池片正背面进行注入电流处理，电流注入过程中，限定注入电流1‑20A，工艺温度控制50‑250℃，最后将经过电流注入后的电池片进行测试分选。其优点是：只要增加一个电流处理设备即可，不需要增加额外的设备投入成本或只投入一台电处理设备的成本，与现有HJT产线可以形成完美兼容，同时电流注入过程中采用特殊的电流大小以及温度，大大提升了HJT电池的转换效率，从而大幅度提升了HJT电池的电性能，这一工艺流程同现有HJT电池生产流程相比具有更高的性能参数，综色缩合性价比高的特点。

技术领域

本发明涉及一种异质结电池制备方法，属于太阳能电池制造技术领域。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，现有的超高效异质结电池量产效率已达到23.27%，经第三方测试，本公司生产的60片双面组件量产正面功率达332.6W，由于具备双面发电的特性，在草地、水泥地面、雪地、反光布等场景下，组件背面可产生10%-30%额外发电量，功率温度系数低达-0.27%/℃，相比普通多晶组件，本公司的异质结组件在75℃工作温度下可挽回34%的发电量损失。

就异质结技术降本路径而言，低温银浆是成本占比中比较大的一块，现在银浆的用量大约是传统电池的五倍，且低温银浆本身用的浆料多，含银量也比较高；为了有效降低这方面的成本，通过结合多主栅、叠瓦等技术，可以令低温银浆的成本降低50%-70%；其次，ITO靶材、制绒添加剂和CVD等专用设备也将有较大的降幅空间，HJT电池具有以上的技术优势，逐渐发展成为继PERC后的高效量产型技术，如何突破现有技术进一步提高HJT电池的量产效率，加速大面积产业化进程是HJT电池目前面临的挑战。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够提升HJT电池的转换效率，从而大幅度提升HJT电池的电性能的异质结电池制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明的异质结电池制备方法，先将单晶硅衬底进行双面表面织构化，再将织构化的单晶硅片正背面沉积本征非晶硅层，然后再在本征非晶硅层的正背面沉积掺杂非晶硅后沉积透明导电薄膜并进行金属电极的丝网印刷形成电池片，在印刷金属电极后进行后续固化，在后续固化过程中或固化结束后在电池片正背面进行注入电流处理，电流注入过程中，限定注入电流1-20A，工艺温度控制50-250℃，最后将经过电流注入后的电池片进行测试分选。

所述单晶硅为N型，单晶硅的厚度为50-200μm，电阻率为1-9 Ω·cm。

所述单晶硅衬底通过碱腐蚀的方式进行双面表面织构化，绒面大小控制在1-9μm，碱溶液选为KOH或NaOH。

所述本征非晶硅膜层的厚度为5-20nm。

所述本征非晶硅层的正面采用的掺杂非晶硅为P型非晶硅膜层或N型非晶硅膜层，本征非晶硅层的背面采用的掺杂非晶硅为N型非晶硅膜层或P型非晶硅膜层，所述P型非晶硅膜层厚度为5-20nm，N型非晶硅膜层厚度为5-30nm。

所述透明导电薄膜的镀膜厚度为60-120nm。

本发明的优点在于：

在金属化后通过采用特殊的工艺方法进行电注入处理，由此便在固化过程中或固化后实现电的注入，只要增加一个电流处理设备即可，不需要增加额外的设备投入成本或只投入一台电处理设备的成本，与现有HJT产线可以形成完美兼容，同时电流注入过程中采用特殊的电流大小以及温度，大大提升了HJT电池的转换效率，突破现有的技术瓶颈，从而大幅度提升了HJT电池的电性能，为后续HJT电池的发展提供一种可行性的制备工艺流程，这一工艺流程同现有HJT电池生产流程相比具有更高的性能参数，综合性价比高的特点。

具体实施方

下面结合具体实施方式，对本发明的异质结电池制备方法作进一步详细说明。