[发明专利]一种均相PVC基阴离子交换膜制备方法有效
| 申请号： | 201911199810.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110860211B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王炳辉;杨文龙;吴法东;徐守疆 | 申请（专利权）人： | 绿邦膜分离技术（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D69/02;B01J41/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224051 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 均相 pvc 阴离子 交换 制备 方法 | ||
1.一种均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，包括步骤：
将PVC和有机溶剂按质量比为15～40:100配置成均匀的合适粘度的铸膜液；将铸膜液经超声脱泡后在增强网格布上涂膜，经热水箱处理并烘干，去除有机溶剂后形成厚度均匀的PVC基膜；
将1-乙烯基咪唑、引发剂配置成均匀单体混合溶液；
将上述PVC基膜在上述单体混合溶液中吸浸；
将吸浸后的PVC基膜与聚酯保护膜间隔叠合，压紧后收卷，再进行高温聚合，剥离聚酯保护膜之后得到卷式均相PVC阴离子交换膜。
2.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述厚度均匀的PVC基膜的孔径为0.01～0.5um，厚度为0.12～0.15mm。
3.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述PVC基膜吸浸单体混合溶液的温度为45～65℃，吸浸时间为4～8h。
4.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述吸浸后的PVC基膜聚合温度为80～90℃，聚合时间为16～24h。
5.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为N，N-二甲基甲酰胺，N，N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的任何一种。
6.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述增强网格布目数为80～100目，厚度为0.08～0.1mm。
7.根据权利要求1所述的均相PVC基阴离子交换膜制备方法，其特征在于，所述引发剂为过氧化二苯甲酰或偶氮二异丁腈。
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