[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

封装衬底，其具有接地平面、具有第一导电触点的第一表面，具有第二导电触点的第二表面，以及将所述第一导电触点中的个别者电耦合到所述第二导电触点中的对应者的导线；

半导体裸片，其耦合到所述封装衬底的所述第一表面；

模制材料，其覆盖所述封装衬底和所述半导体裸片的至少一部分；及

保形涂层，其通过所述封装衬底的所述第二表面中的开口电耦合到所述接地平面，其中所述保形涂层经配置以屏蔽所述半导体装置免受电磁干扰。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接地平面在所述封装衬底的所述第二表面中的所述开口内凹入。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述保形涂层直接电耦合到所述接地平面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述封装衬底进一步包含从所述接地平面延伸到所述封装衬底的所述第二表面的导电迹线，且其中所述保形涂层经由所述导电迹线电耦合到所述接地平面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述保形涂层在所述封装衬底的所述第二表面处电耦合到所述导电迹线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开口为沟槽或壕沟，且其中所述半导体装置包含在所述封装衬底与所述保形涂层之间的焊接掩模。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述开口在所述封装衬底的周边周围延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中—

所述模制材料包含顶部表面；

所述模制材料和所述封装衬底包含多个侧表面；且

所述保形涂层涂覆所述顶部表面和所述多个侧表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括电耦合到所述第二导电触点的多个电连接器。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体裸片为存储器裸片。

11.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

形成封装衬底，所述封装衬底包含接地平面、在所述封装衬底的第一表面处的第一导电触点，以及在所述封装衬底的第二表面处的第二导电触点，其中所述第二导电触点经由导线电耦合到所述第一导电触点中的对应者；

在所述封装衬底的所述第一表面上方安置半导体裸片；

在所述封装衬底的所述第一表面和所述半导体裸片的至少一部分上方形成模制材料；及

在所述模制材料和所述封装衬底上方施加保形涂层，使得所述保形涂层的部分通过所述封装衬底的所述第二表面中的开口电连接到所述接地平面。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在施加所述保形涂层之前，在所述封装衬底的所述第二表面上方施加焊接掩模，且蚀刻所述焊接掩模以通过所述封装衬底、所述开口和所述焊接掩模暴露所述接地平面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中对所述焊料掩模的所述蚀刻包含通过移除所述焊料掩模的一部分和所述封装衬底的一部分来形成所述开口，且其中所述焊料掩模的所述部分和所述封装衬底的所述部分在所述封装衬底的周边周围延伸。

14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括形成多个电连接器，其中所述多个电连接器中的个别者电连接到所述封装衬底的所述第二导电触点中的对应者。

15.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述保形涂层包含在从所述封装衬底上方移除所述焊料掩模之前施加所述保形涂层。