[发明专利]一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。

2.根据权利要求1所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：还包括一第二介电层，所述第二介电层设置于电子传输层上表面。

3.根据权利要求1所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述钙钛矿发光层采用钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜中的一种或两者的混合结构。

4.根据权利要求3所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜包括ABX₃、A₄BX₆或AB₂X₅的结构体系，其中A为无机金属离子、胺类有机基团或二者的混合物；B为铅、锑、锰、碲或锡；卤素X为F、Br、I、Cl中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述钙钛矿发光层采用真空蒸镀法或溶液法制备。

6.根据权利要求1所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述阳极层为通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜；所述的阴极为通过真空蒸镀法制备的金属材料。

7.根据权利要求6所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述介电层由绝缘体或半导体材料制成，包括无机绝缘体或半导体材料、有机绝缘体或半导体材料。

8.根据权利要求7所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述有机绝缘体或半导体材料包括萘、蒽、并五苯型，三苯基胺、富勒烯、苝衍生物、聚乙炔型、聚芳环型、共聚物型中的一种或几种。

9.根据权利要求7所述的一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，其特征在于：所述无机绝缘体或半导体包括Ⅳ-Ⅳ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物，Ⅰ-Ⅶ族化合物、Ⅴ-Ⅵ族化合物；第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物；稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物中的一种或几种。

10.一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1:通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜,得到阳极基板，并清洗；

步骤S2:在清洗后的阳极基板上采用磁控溅射的方法沉积第一介电层；

步骤S3:在第一介电层采用溶液法沉积空穴传输层；

步骤S4:在空穴传输层上通过溶液法或真空蒸镀法沉积一层通过高温注入法合成的钙钛矿量子点溶液，得到钙钛矿发光层;

步骤S5:在钙钛矿发光层上沉积电子传输层，所述电子传输层为采用通过真空蒸镀法制备的TPBi；

步骤S6:在电子传输层上沉积阴极层,所述阴极层采用真空蒸镀法制备的Al/LiF，得到具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件。