[发明专利]一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。本发明不仅可以有效地避免电荷积聚现象，还可以有效地避免有机层与阴、阳极之间的电化学反应，从而保护钙钛矿LED器件不受大气中水分和氧气的影响。

技术领域

本发明涉及钙钛矿LED器件发光领域，具体涉及一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件极其制备方法。

背景技术

钙钛矿材料具有光致发光量子产率（PLQY）高、缺陷容忍度好、色纯度高、可低温制备、载流子迁移率高等优点，所制备的钙钛矿LED器件发光光谱窄、色域宽、制备成本低、效率高，因此成为了下一代显示和照明技术的潜在应用技术之一。

尽管目前近红外、红光、绿光的钙钛矿LED的外量子效率（External quantumefficiency，EQE）已经超过了20 %，并且蓝光钙钛矿LED的EQE也接近10%，但钙钛矿LED仍属于直流驱动型器件。对于需要直流驱动的器件而言，只有稳定的直流电供应，才可正常工作。然而，现实生活中用电往往是220V、50Hz的交流电，若要保证钙钛矿LED器件正常发光，就要再给器件配置一个交流-直流转换的设备，从而增加系统的复杂程度。并且，在交流-直流转换的过程中，能量可能出现损失。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件极其制备方法，不仅可以有效地避免电荷积聚现象，还可以有效地避免有机层与阴、阳极之间的电化学反应，从而保护钙钛矿LED器件不受大气中水分和氧气的影响。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件，包括从下到上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极层；所述所述阴级层和阳极层两端加上交流电源实现交流驱动的钙钛矿LED。

进一步的，还包括一第二介电层，所述第二介电层设置于电子传输层上表面。

进一步的，所述钙钛矿发光层采用钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜中的一种或两者的混合结构。

进一步的，所述钙钛矿量子点、钙钛矿薄膜包括ABX₃、A₄BX₆或AB₂X₅的结构体系，其中A为无机金属离子、胺类有机基团或二者的混合物；B为铅、锑、锰、碲或锡；卤素X为F、Br、I、Cl中的一种或多种。

进一步的，所述钙钛矿发光层采用真空蒸镀法或溶液法制备。

进一步的，所述阳极层为通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜；所述的阴极为通过真空蒸镀法制备的金属材料。

进一步的，所述介电层由绝缘体或半导体材料制成，包括无机绝缘体或半导体材料、有机绝缘体或半导体材料。

进一步的，所述有机绝缘体或半导体材料包括萘、蒽、并五苯型，三苯基胺、富勒烯、苝衍生物、聚乙炔型、聚芳环型、共聚物型中的一种或几种。

进一步的，所述无机绝缘体或半导体包括Ⅳ-Ⅳ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物，Ⅰ-Ⅶ族化合物、Ⅴ-Ⅵ族化合物；第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物；稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物中的一种或几种。

一种具有介质层的交流驱动钙钛矿LED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1:通过磁控溅射制备的ITO导电薄膜,得到阳极基板，并清洗；