[发明专利]单片晶圆清洗系统及方法

权利要求书

1.一种单片晶圆清洗系统，其特征在于，用于对位于晶圆承载台上的晶圆进行清洗，单片晶圆清洗系统包括：

第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第一旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第一清洗液喷嘴相连接，用于在喷洒所述第一清洗液之前将所述第一清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第一清洗液喷洒完毕后将所述第一清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；所述第一清洗液在120℃～130℃的温度下对所述晶圆进行清洗，用于去除所述晶圆表面的有机物；

第二清洗装置，用于在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，以减小晶圆受到的热应力；并在对所述晶圆进行最后一次清洗时，向所述晶圆的表面喷洒含碳去离子水，以保持晶圆表面湿润；所述预设温度为30℃～90℃，所述含碳去离子水的温度小于30℃；其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。

2.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述第二清洗装置包括：

固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；

第一去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于在所述第一清洗液喷嘴停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水；

第二去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于对所述晶圆进行最后一次清洗时向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水。

3.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述第二清洗装置包括：

固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；

混合腔，与预热去离子水管路及含碳去离子水管路相连通，所述预热去离子水管路和所述含碳去离子水管路上分别设有开关阀，所述混合腔用于将预热去离子水及含碳去离子水混合以得到所述预设温度的去离子水；

去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，且与所述混合腔相连接，用于向所述晶圆的表面喷洒所述预设温度的去离子水及所述含碳去离子水。

4.根据权利要求1所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述预设去离子水的流量为1500ml/min～2500ml/min。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的单片晶圆清洗系统，其特征在于，所述单片晶圆清洗系统还包括：

第三清洗装置，包括：第二清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第二清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第三清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第三清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第二旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴均相连接，用于在喷洒所述第二清洗液及所述第三清洗液之前将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第二清洗液及所述第三清洗液喷洒完毕后将所述第二清洗液喷嘴及所述第三清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；

第四清洗装置，包括：第四清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第四清洗液，以对所述晶圆进行干燥；第三旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，用于在喷洒所述第四清洗液之前将所述第四清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第四清洗液喷洒完毕后将所述第四清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开。

6.一种单片晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆的表面进行清洗；所述第一清洗液在120℃～130℃的温度下对所述晶圆进行清洗，用于去除所述晶圆表面的有机物；

在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，以减小晶圆受到的热应力；所述预设温度为30℃～90℃；

在向所述晶圆的表面进行最后一次清洗时，喷洒含碳去离子水，以保持晶圆表面湿润；所述含碳去离子水的温度小于30℃；

其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。