[发明专利]单片晶圆清洗系统及方法

说明书

本发明涉及一种单片晶圆清洗系统及方法，单片晶圆清洗系统包括：第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，向晶圆的表面喷洒第一清洗液；第一旋转支架，位于晶圆承载台的一侧，与第一清洗液喷嘴相连接；第二清洗装置，用于在停止向晶圆的表面喷洒第一清洗液的同时向晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在向晶圆的表面最后一次清洗后向晶圆的表面喷洒含碳去离子水；预设温度小于第一清洗液的温度且大于含碳去离子水的温度。在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时使用第二清洗装置向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种单片晶圆清洗系统及方法。

背景技术

半导体器件生产中晶圆须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于晶圆表面，会导致各种缺陷。

在现有的单片清洗机机台清洗晶圆过程中，由于设备自身的限制，使用温度较高的清洗液对晶圆进行清洗之后，不能立即使用热的去离子水对晶圆的表面进行清洗，为了避免晶圆表面短暂性干燥，需要使用固定式喷嘴的常温的含碳去离子水保持晶圆表面湿润，而清洗液与常温的含碳去离子水的温差较大，较大的温度差会产生热应力，晶圆受热应力造成破片，提高了生产成本。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种单片晶圆清洗系统及方法。

一种单片晶圆清洗系统，用于对位于晶圆承载台上的晶圆进行清洗，单片晶圆清洗系统包括：

第一清洗装置，包括：第一清洗液喷嘴，用于向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，以对所述晶圆进行清洗；第一旋转支架，位于所述晶圆承载台的一侧，与所述第一清洗液喷嘴相连接，用于在喷洒所述第一清洗液之前将所述第一清洗液喷嘴移至所述晶圆的上方，并在所述第一清洗液喷洒完毕后将所述第一清洗液喷嘴自所述晶圆的上方移开；

第二清洗装置，用于在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，并在对所述晶圆进行最后一次清洗时，向所述晶圆的表面喷洒含碳去离子水；

其中，所述预设温度小于所述第一清洗液的温度且大于所述含碳去离子水的温度。

通过上述技术方案，在停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时使用第二清洗装置向所述晶圆的表面喷洒具有预设温度的去离子水，由于具有预设温度的去离子水的温度高于含碳去离子水的温度，具有预设温度的去离子水与第一清洗液及含碳去离子水均具有较小的温差，可以减小晶圆受到的热应力，降低晶圆受热应力造成破片的概率，降低了生产成本。

在其中一个实施例中，所述第二清洗装置包括：

固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；

第一去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于在所述第一清洗液喷嘴停止向所述晶圆的表面喷洒所述第一清洗液的同时向所述晶圆的表面喷洒所述具有预设温度的去离子水；

第二去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，用于对所述晶圆进行最后一次清洗时向所述晶圆的表面喷洒所述含碳去离子水。

在其中一个实施例中，所述第二清洗装置包括：

固定支架，位于所述晶圆承载台的一侧；

混合腔，与预热去离子水管路及含碳去离子水管路相连通，所述预热去离子水管路和所述含碳去离子水管路上分别设有开关阀，所述混合腔用于将预热去离子水及含碳去离子水混合以得到所述预设温度的去离子水；

去离子水喷嘴，固定于所述固定支架上，且与所述混合腔相连接，用于向所述晶圆的表面喷洒所述预设温度的去离子水及所述含碳去离子水。