[发明专利]封装体及其制备方法在审
申请号: | 201911201211.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN112447534A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 郭文龙;张强波;宋关强;柳仁辉;余晋磊 | 申请(专利权)人: | 天芯互联科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 唐双 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制备 方法 | ||
1.一种封装体的制备方法,其特征在于,包括:
制备封装半成品,其中,所述封装半成品包括基板、第一器件、第二器件、第一塑封体和第二塑封体,所述基板包括相对的第一表面和第二表面,所述第一器件和所述第二器件分别设置在所述基板的第一表面和第二表面上,所述第一塑封体和所述第二塑封体分别将所述第一器件和所述第二器件包裹在所述基板的第一表面和第二表面上,且所述第二塑封体裸露出所述第二器件的引脚;
将多个所述封装半成品固定在第一支撑板的同一侧上,其中,所述第二器件裸露出的所述引脚朝向所述第一支撑板;
放置中间层支架和第二支撑板,其中,所述中间层支架设置在所述支撑板设置有多个所述封装半成品的一侧上,所述中间层支架具有多个与所述封装半成品对应的通槽,所述封装半成品分别位于对应的所述通槽中,所述第二支撑板设置在所述封装半成品远离所述第一支撑板的一侧;
压合所述第一支撑板、所述第二支撑板、所述中间层支架以及多个所述封装半成品而使之成为整体结构;
对所述第一支撑板进行处理,以形成连接所述第二器件的所述引脚的焊盘,其中,所述焊盘作为所述封装体的引脚。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一支撑板一侧覆盖有重布线层;
所述将多个所述封装半成品固定在第一支撑板的同一侧上的步骤,包括:
将多个所述封装半成品均固定于所述重布线层上,其中,所述第二器件裸露出的所述引脚朝向所述重布线层,且所述第二器件裸露出的所述引脚与所述重布线层电连接;
所述对所述第一支撑板进行处理,以形成连接所述第二器件的所述引脚的焊盘的步骤,包括:
去除所述第一支撑板;
图案所述重布线层而形成连接所述第二器件的所述引脚的所述焊盘。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
所述将多个所述封装半成品固定在第一支撑板的同一侧上的步骤,包括:
将多个所述封装半成品通过绝缘膜或绝缘胶固定在所述第一支撑板的同一侧上;
所述对所述第一支撑板进行处理,以形成连接所述第二器件的所述引脚的焊盘的步骤,包括:
去除所述第一支撑板以及所述绝缘膜或所述绝缘胶;
在多个所述封装半成品暴露所述第二器件的所述引脚一侧形成重布线层;
图案所述重布线层而形成连接所述第二器件的所述引脚的所述焊盘。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述在多个所述封装半成品暴露所述第二器件的所述引脚一侧形成重布线层的步骤,包括:
采用溅射或气相沉积工艺在多个所述封装半成品暴露所述第二器件的所述引脚一侧形成所述重布线层,或,将预先制备的所述重布线层压合在多个所述封装半成品暴露所述第二器件的所述引脚一侧。
5.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
去除所述第二支撑板;
切割所述中间层支架以及图案后的所述重布线层而得到多个所述封装体。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第二塑封体远离所述基板一侧裸露出所述第二器件的所述引脚,以及,所述第一器件为裸芯片,所述第一器件包括相对设置的功能面以及非功能面,所述第一器件的所述功能面朝向所述基板,所述第一器件通过设置在所述功能面和所述基板之间的第一导电件而实现与所述基板的电连接;
所述方法还包括:
去除所述第二支撑板;
研磨多个所述封装半成品的所述第一塑封体而暴露所述第一器件的所述非功能面。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述制备封装半成品的步骤,包括:
提供所述基板;
在所述基板的所述第一表面上设置所述第一器件;
用塑封料对所述基板具有所述第一器件的一侧进行塑封,而形成包裹所述第一器件的第一塑封体;
在所述基板的所述第二表面上设置所述第二器件;
用塑封料对所述基板具有所述第二器件的一侧进行塑封,而形成包裹所述第二器件的第二塑封体;
研磨所述第二塑封体而裸露出所述第二器件的所述引脚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造