[发明专利]LED测试头、LED测试装置及LED测试装置的制备方法有效
申请号: | 201911202259.3 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN112885729B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 王岩;董小彪;夏继业;姚志博;李晓伟;郭剑;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/15 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 测试 装置 制备 方法 | ||
1.一种LED测试头,其特征在于,包括:
柔性基底;
测试电极,位于所述柔性基底上,所述测试电极用于向LED芯片提供测试信号;
压电层和位于所述压电层表面的控制电极,所述控制电极用于控制所述压电层形变;
所述压电层位于所述柔性基底远离所述测试电极的一侧;
还包括金属走线,所述金属走线与所述测试电极电连接,以将测试信号传输至测试电极。
2.根据权利要求1所述的LED测试头,其特征在于,
所述柔性基底包裹所述压电层及所述控制电极。
3.根据权利要求2所述的LED测试头,其特征在于,
所述控制电极包括第一导电层和第二导电层;
所述第一导电层位于所述压电层靠近所述测试电极的一侧,所述第二导电层位于所述压电层远离所述测试电极的一侧。
4.根据权利要求2所述的LED测试头,其特征在于,所述控制电极包括第一控制电极和第二控制电极;
所述第一控制电极和所述第二控制电极同层设置且位于所述压电层的同一侧;
所述第一控制电极和所述第二控制电极间隔排布。
5.根据权利要求4所述的LED测试头,其特征在于,
所述第一控制电极与所述第二控制电极为相互咬合的梳齿状。
6.根据权利要求1所述的LED测试头,其特征在于,沿垂直于所述柔性基底的方向,所述测试电极的厚度大于所述金属走线的厚度。
7.一种LED测试装置,包括测试基板以及多个如权利要求1-6任一项所述的LED测试头,其特征在于,
多个所述LED测试头位于所述测试基板上且呈阵列排布;
所述LED测试头与所述测试基板通过连接部固定连接;
所述LED测试头与所述测试基板之间存在间隙;
所述连接部位于所述LED测试头上与所述测试电极相对的一端。
8.根据权利要求7所述的LED测试装置,其特征在于,还包括绑定区,所述绑定区包括多个绑定焊盘;
所述测试电极及所述控制电极均与对应的绑定焊盘电连接。
9.一种LED测试装置的制备方法,其特征在于,包括:
提供测试基板;
于所述测试基板上形成多个连接部;
形成与所述连接部固定连接的LED测试头;
其中,所述LED测试头包括柔性基底;测试电极,位于所述柔性基底上,所述测试电极用于向LED芯片提供测试信号;压电层和位于所述压电层表面的控制电极,所述控制电极用于控制所述压电层形变;所述压电层位于所述柔性基底远离所述测试电极的一侧。
10.根据权利要求9所述的LED测试装置的制备方法,其特征在于,形成与所述连接部固定连接的测试头包括:
形成与所述连接部同层的牺牲层;
形成第一柔性基底;
于所述第一柔性基底上形成所述压电层及所述控制电极;
形成第二柔性基底,所述第一柔性基底与所述第二柔性基底材料相同且组合成所述柔性基底;
于所述柔性基底远离所述测试基板的一侧形成所述测试电极;
腐蚀所述牺牲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造