[发明专利]共阴极LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种共阴极LED芯片，其特征在于，包括：

p型半导体层；

发光层，位于所述p型半导体层上方；

n型半导体层，位于所述发光层上方；

凹槽，贯穿所述n型半导体层、所述发光层及所述p型半导体层，以隔离出多个LED单元；

连接层，横跨于所述凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连；

透明导电层，位于所述n型半导体层及连接层之上；

量子点层，位于所述LED单元的透明导电层之上；

保护层，位于所述量子点层之上；

所述共阴极LED芯片还包括一引出槽，所述引出槽与相邻的所述凹槽之间横跨有跨接层，所述引出槽中具有n电极，所述n电极通过所述引出槽与所述跨接层接触，并延伸至所述p型半导体层表面；

所述LED单元的p型半导体层表面具有p电极，所述p电极与所述n电极共面。

2.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述共阴极LED芯片还包括反射层，所述反射层至少覆盖所述凹槽的侧壁。

3.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述n型半导体层包括n型氮化镓层，所述p型半导体层包括p型氮化镓层，或所述n型半导体层包括n型铝镓氮层，所述p型半导体层包括p型铝镓氮层。

4.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述共阴极LED芯片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述发光层与所述p型半导体层之间。

5.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述发光层包括量子阱超晶格层。

6.根据权利要求2所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述反射层包括布拉格反射层，所述布拉格反射层为交替层叠的Ti₃O₅/SiO₂。

7.根据权利要求1所述的共阴极LED芯片，其特征在于：所述透明导电层的材料包括ITO，所述保护层的材料包括二氧化硅。

8.一种共阴极LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1）提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成缓冲层、非掺杂半导体层、n型半导体层、发光层、电子阻挡层及p型半导体层，形成晶圆；

2）形成贯穿所述p型半导体层、所述电子阻挡层及所述发光层、并深入到所述n型半导体层的凹槽，以隔离出多个LED单元；

3）将凹槽之一定义为引出槽，并在至少一LED单元的p型半导体层上形成n电极，其中，所述n电极延伸并覆盖所述凹槽部分侧壁，于剩余的各LED单元的p型半导体层上形成p电极，所述p电极与所述n电极共面；

4）于所述凹槽内表面形成反射层；

5）将所述晶圆胶接于临时基板上，并剥离所述衬底；

6）去除所述缓冲层、非掺杂半导体层、及部分n型半导体层至露出所述反射层，或至少部分去除所述反射层；

7）在所述反射层之上形成连接层，所述连接层两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连；

8）在所述连接层、n型半导体层之上沉积透明导电层；

9）在透明导电层上形成量子点层；

10）在所述量子点层之上沉积保护层。

9.根据权利要求8所述的共阴极LED芯片的制作方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅片，所述临时基板为硅片或玻璃。

10.根据权利要求8所述的共阴极LED芯片的制作方法，其特征在于：所述非掺杂半导体层包括非掺杂氮化镓层或铝镓氮层，所述缓冲层包括氮化铝缓冲层、氮化镓缓冲层、铝镓氮缓冲层和铝铟镓氮缓冲层中的至少一种，所述胶接材料为聚二甲基硅氧烷。