[发明专利]控制方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置的控制方法，所述等离子体处理装置包括：在腔室内对基片保持部施加高频电力的高频电源；设置在所述基片保持部与所述高频电源之间的匹配器；和利用高频电力从气体生成等离子体的等离子体生成部，所述控制方法的特征在于，包括：

获取所述匹配器进行匹配时的输出阻抗的步骤；

获取表示所述腔室的电特性的F参数的步骤；

使用所述输出阻抗和所述F参数来计算谐波产生的程度的步骤；和

根据所述谐波产生的程度来控制所述匹配器的阻抗的步骤。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于：

获取所述输出阻抗的步骤包括获取基波的所述输出阻抗和谐波的所述输出阻抗的步骤，

所述计算谐波产生的程度的步骤包括：

根据基波的所述输出阻抗来计算等离子体阻抗的步骤；和

根据谐波的所述输出阻抗和等离子体阻抗来计算所述谐波产生的程度的步骤。

3.如权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：

在所述高频电源与所述匹配器之间设置低通滤波器。

4.如权利要求1～3中任一项所述的控制方法，其特征在于：

控制所述匹配器的阻抗的步骤包括利用可变电容器来控制所述匹配器的相对于谐波的阻抗的步骤。

5.如权利要求4所述的控制方法，其特征在于：

所述可变电容器是相对于所述匹配器内的第一可变电容器和第二可变电容器在所述基片保持部一侧与所述第一可变电容器并联连接的第三可变电容器，其中，所述第一可变电容器与所述高频电源并联连接，所述第二可变电容器与所述高频电源串联连接。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于：

包括控制部，其执行表示所述权利要求1～权利要求5中任一项所述的控制方法的步骤顺序的程序。