[发明专利]控制方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。在等离子体处理装置的控制方法中，所述等离子体处理装置包括：在腔室内对基片保持部施加高频电力的高频电源；设置在所述基片保持部与所述高频电源之间的匹配器；和利用高频电力从气体生成等离子体的等离子体生成部，所述控制方法包括：获取所述匹配器进行匹配时的输出阻抗的步骤；获取表示所述腔室的电特性的F参数的步骤；使用所述输出阻抗和所述F参数来计算谐波产生的程度的步骤；和根据所述谐波产生的程度来控制所述匹配器的阻抗的步骤。根据本发明，不使用传感器就能够调节匹配器的相对于谐波的阻抗。

技术领域

本发明涉及控制方法和等离子体处理装置。

背景技术

为了应对工艺条件依赖和装置的仪器偏差，一边观测由等离子体处理装置产生的谐波一边进行控制是有用的。例如考虑设置RF传感器、阻抗传感器等传感器，一边观测谐波一边调节匹配器相对于谐波的阻抗的技术。专利文献1提出了一种在高频电源侧设置阻抗传感器，使用该传感器来调节阻抗的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-73247号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种不使用传感器就能够调节匹配器的相对于谐波的阻抗的技术。

用于解决技术问题的技术手段

依照本发明的一个方式，提供一种等离子体处理装置的控制方法，其中，所述等离子体处理装置包括：在腔室内对基片保持部施加高频电力的高频电源；设置在所述基片保持部与所述高频电源之间的匹配器；和利用高频电力从气体生成等离子体的等离子体生成部，所述控制方法包括：获取所述匹配器进行匹配时的输出阻抗的步骤；获取表示所述腔室的电特性的F参数的步骤；使用所述输出阻抗和所述F参数来计算谐波产生的程度的步骤；和根据所述谐波产生的程度来控制所述匹配器的阻抗的步骤。

发明效果

依照本发明的一个方式，不使用传感器就能够调节匹配器的相对于谐波的阻抗。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的纵截面图。

图2是用于说明一实施方式的谐波产生模型的一例的图。

图3是用于说明一实施方式的谐波的控制方法的图。

图4是表示一实施方式的匹配器的周边的电路结构的一例的图。

图5是表示一实施方式的谐波产生的程度的控制方法的步骤顺序的流程图。

图6是表示一实施方式的执行了谐波产生的程度的控制方法的结果的一例的图。

附图标记说明

1 等离子体处理装置

10 腔室

11 沉积物遮挡件

16 基片保持部

20 静电吸盘

22 直流电源

25 下部绝缘环

26 内壁部件

34 上部电极

42 上部绝缘环

83 挡板

89 供电棒

90 高频电源

200 控制部