[发明专利]光电二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：P电极、N电极以及用于连接P电极和N电极的导电沟道；

其中，所述导电沟道包括第一导电沟道图案、第二导电沟道图案和第三导电沟道图案，所述第二导电沟道图案位于所述第一导电沟道图案与所述第三导电沟道图案之间，所述第一导电沟道图案与所述第三导电沟道图案均为梳子状结构，且所述第一导电沟道图案、所述第二导电沟道图案以及所述第三导电沟道图案相互配合呈咬合状，所述导电沟道上设置有吸光层图案，且所述吸光层图案将部分导电沟道裸露在外。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一导电沟道图案包括第一主体部和多个第一支部，所述多个第一支部间隔设置在所述第一主体部的第一侧；所述第三导电沟道图案包括第二主体部和多个第二支部，所述多个第二支部间隔设置在所述第二主体部的第二侧；所述第一侧和所述第二侧相对设置，所述多个第一支部与所述多个第二支部错位设置。

3.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，相邻所述第一支部之间设置有至少一个所述第二支部。

4.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，当相邻所述第一支部之间设置一个所述第二支部时，所述多个第一支部等间隔设置在所述第一主体部，所述多个第二支部等间隔设置在所述第二主体部。

5.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，当相邻所述第一支部之间设置至少两个所述第二支部时，所述多个第一支部的宽度大于所述第二支部的宽度。

6.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述第一主体部包括相连接的第一区域和第二区域，所述第二主体部包括相互连接的第三区域和第四区域，其中，所述第一区域和所述第三区域分相对设置，所述第二区域和所述第四区域相对设置；

多个所述第一支部间隔设置在所述第一区域上，多个所述第二支部间隔设置在所述第三区域上。

7.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述P电极设置在所述导电沟道上并沿着所述导电沟道的一侧延伸，所述N电极设置在所述导电沟道上并沿着所述导电沟道的另一侧延伸。

8.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述导电沟道以及所述吸光层图案上设置有绝缘层，且所述绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔；其中，所述P电极通过所述第一过孔与所述导电沟道连接，所述N电极通过所述第二过孔与所述导电沟道连接。

9.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成遮光层图案以及缓冲层；

在所述缓冲层上形成导电沟道，并对所述导电沟道进行离子掺杂处理，以形成第一导电沟道图案、第二导电沟道图案以及第三导电沟道图案，所述第二导电沟道图案位于所述第一导电沟道图案与所述第三导电沟道图案之间，所述第一导电沟道图案与所述第三导电沟道图案均为梳子状结构，且所述第一导电沟道图案、所述第二导电沟道图案以及所述第三导电沟道图案相互配合呈咬合状；

在所述导电沟道上形成P电极和N电极，所述P电极和所述N电极用于与所述导电沟道连接。