[发明专利]光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备

说明书

本发明提供了一种光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备，所述光电探测器包括基底；排列设置在所述基底上的至少两个光电探测组件，用于接收光束；设置在所述基底上的至少一个第一遮挡组件，所述第一遮挡组件位于任意相邻的两个光电探测组件之间，用于抵挡相邻的光电探测组件之间的光束传播；设置在所述基底内的至少一个第二遮挡组件，用于抵挡穿过预定光电探测组件的光束从光电探测组件的下方被反射至相邻的光电探测组件。本发明提供的光电探测器和调焦调平装置的测量精度较高，以及利用本发明提供的光刻投影设备制造出的半导体器件的性能较高。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备。

背景技术

半导体技术领域中，在利用投影物镜将掩膜板上的图形投影至半导体基底之前，通常会利用调焦调平装置测量运动台上半导体基底的垂向高度和倾斜度，并基于测量结果调整该半导体基底，使其位于投影物镜的最佳焦平面位置，以确保后续执行投影时，掩膜板上的图形可以理想的投影到半导体基底上，进而确保最终制得的半导体器件的性能。

相关技术中，调焦调平装置具体包括有光源以及光电探测器。所述光源发出的光线会照射至半导体基底表面，并会被所述半导体基底表面反射而被所述光电探测器接收，所述光电探测器通过分析其接收到的反射光的能量，即可确定半导体基底的垂向高度和倾斜度。其中，所述光电探测器中包括有多个光电探测组件(例如光电二极管)，所述光电探测组件用于接收半导体基底所反射的光束，来计算该半导体基底的垂向高度和倾斜信息。

然而，需要说明的是，经由半导体基底反射的光束照射至对应光电探测组件时，难免会发生光束弥散和二次反射的现象，使得部分光束被相邻的其他光电探测组件接收，从而会对其他光电探测组件造成干扰，影响其他光电探测组件的测量结果，并影响到最终制得的半导体器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光电探测器、调焦调平装置以及光刻投影设备，以解决利用现有的光电探测器测量基底时测量精度不高的问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本发明提供了一种光电探测器，包括：

基底；

排列设置在所述基底上的至少两个光电探测组件，用于接收光束；

设置在所述基底上的至少一个第一遮挡组件，所述第一遮挡组件位于任意相邻的两个光电探测组件之间，用于抵挡相邻的光电探测组件之间的光束传播；

设置在所述基底内的至少一个第二遮挡组件，用于抵挡穿过预定光电探测组件的光束从光电探测组件的下方被反射至相邻的光电探测组件。

可选的，所述光电探测器还包括覆盖所述光电探测组件的保护板，所述保护板的透光率大于等于80％。

可选的，所述第二遮挡组件的高度小于等于所述基底的厚度；

以及，所述第二遮挡组件介于任意相邻的两个光电探测组件之间；或者，所述第二遮挡组件位于所述光电探测组件的下方。

可选的，所述第一遮挡组件和所述第二遮挡组件的表面均涂有黑色涂层。

可选的，所述第一遮挡组件和第二遮挡组件的形状均为板状。

可选的，所述第一遮挡组件的顶端高于所述光电探测组件的顶端。

可选的，所述第一遮挡组件设置在相邻的两个光电探测组件之间的中间位置。

可选的，所述第一遮挡组件的高度小于等于[(d-c)/2]×cot(δ+arcsinNA)；

其中，c为所述第一遮挡组件的宽度；

d为所述第一遮挡组件两侧的两个光电探测组件之间的间距；

δ为光束入射至所述光电探测组件的入射角；