[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

在一基板上设置两个或两个以上鳍片，该些鳍片各自具有一初始鳍片轮廓；

在该基板上设置一隔离绝缘层，该隔离绝缘层包围该两个或两个以上鳍片的下部部件；

氧化该两个或两个以上鳍片中的一第一鳍片及一第二鳍片以在该第一鳍片及该第二鳍片上生长一第一牺牲氧化物层；

蚀刻该第一鳍片及该第二鳍片的该第一牺牲氧化物层及该隔离绝缘层的一顶表面，以修整该第一鳍片及该第二鳍片且产生该第一鳍片及该第二鳍片的一次一鳍片轮廓；

重复该生长步骤及该蚀刻步骤以修整该第一鳍片及该第二鳍片，

其中该生长步骤及该蚀刻步骤针对该第一鳍片及该第二鳍片的一重复次数为不同的，

且其中重复该生长步骤及该蚀刻步骤使得该第一鳍片及该第二鳍片上自底部修整的量大于自顶部修整的量，而让该第一鳍片及该第二鳍片的轮廓在紧接于该隔离绝缘层的侧边处包括一扭曲形状；以及

在该两个或两个以上鳍片上方分别形成一栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

在该生长步骤及该蚀刻步骤之前，在该些鳍片的两个末端部分之间的一栅极区中设置一虚设栅极结构，该虚设栅极结构包含一牺牲栅极介电质层及一牺牲栅极电极层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对该第一鳍片的重复次数为一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该两个或两个以上鳍片包括一第三鳍片，该第三鳍片不经受该生长步骤及该蚀刻步骤且并不经修整，且该两个或两个以上鳍片包括一第四鳍片，该第四鳍片经受该生长步骤及该蚀刻步骤，但不经受重复该生长步骤及该蚀刻步骤。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，重复该生长步骤及该蚀刻步骤以修整该第一鳍片的步骤产生该第一鳍片的一最终鳍片轮廓，且该第一鳍片的该最终鳍片轮廓相较于该第一鳍片的该初始鳍片轮廓增大该半导体装置的临限电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，每一该些鳍片的鳍片轮廓的参数包括该些鳍片的在一顶部指示位准的一第一宽度、该些鳍片的在一中间指示位准的一第二宽度及该些鳍片的在一底部指示位准的一第三宽度，且该第一鳍片的该最终鳍片轮廓的该第一宽度、该第二宽度或该第三宽度中的至少一者小于该第一鳍片的该初始鳍片轮廓的对应宽度。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该第一鳍片的自该第一鳍片的顶表面至设置于该第一鳍片周围的该隔离绝缘层的该顶表面量测的高度实质上维持于该第一鳍片的该初始鳍片轮廓与该第一鳍片的该最终鳍片轮廓之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该第一鳍片的该最终鳍片轮廓包括连接每一该些鳍片的侧壁至该隔离绝缘层的该顶表面的该扭曲形状，且该扭曲形状包含阶梯形状或圆弧形状中的一者。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，修整该第一鳍片的步骤提供该第一鳍片的该初始鳍片轮廓与该第一鳍片的该最终鳍片轮廓之间的该第一宽度的一第一差；该第一鳍片的该初始鳍片轮廓与该第一鳍片的该最终鳍片轮廓之间的该第二宽度的一第二差；及该第一鳍片的该初始鳍片轮廓与该第一鳍片的该最终鳍片轮廓之间的该第三宽度的一第三差，使得该第三差大于该第二差，且该第二差大于该第一差。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含：

在该生长步骤及该蚀刻步骤之前：

在该第一鳍片的末端部分处生长多个磊晶层以产生一源极区及一漏极区；

在该源极区及该漏极区的该些磊晶层上生长一层间介电质层；以及

移除该虚设栅极结构，借此暴露该栅极区，其中该生长步骤及该蚀刻步骤在该栅极区中执行。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

湿式蚀刻该第一鳍片及该第二鳍片的该牺牲氧化物层以产生该次一鳍片轮廓。