[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。

技术领域

本揭露是关于一种制造半导体装置的方法。

背景技术

鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor；FinFET)装置的效能可通过修改FinFET装置的临限电压来调整。调整FinFET装置的临限电压的一种方法是通过利用离子植入来对FinFET装置的鳍片的通道区进行掺杂。需要一种调整临限电压以改良FinFET装置的效能的方法。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体装置的方法包括在一基板上设置两个或两个以上鳍片，该些鳍片各自具有一初始鳍片轮廓；及在鳍片中的一第一鳍片及一第二鳍片上生长一牺牲氧化物层。方法进一步包括：蚀刻第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层以修整第一鳍片及第二鳍片且产生第一鳍片及该第二鳍片的次一鳍片轮廓；及重复生长步骤及蚀刻步骤以修整第一鳍片及第一鳍片，其中生长步骤及蚀刻步骤针对第一鳍片及第二鳍片的重复次数为不同的。方法亦包括在鳍片上方分别形成栅极结构。

根据本揭露的一些实施例，用于修改一第一鳍片及一第二鳍片的一轮廓的方法包括选择第一鳍片及第二鳍片的一第一区以通过选择性暴露第一鳍片及第二鳍片的第一区来修整。方法亦包括湿式蚀刻第一鳍片及第二鳍片的经暴露第一区以移除设置于第一鳍片及第二鳍片的第一区上的第一氧化物；氧化第一鳍片及第二鳍片的经暴露第一区以生长第二氧化物；及重复湿式蚀刻步骤及氧化步骤以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的湿式蚀刻步骤及氧化步骤的重复次数不同。

根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体装置的方法包括通过在一基板上设置具有一初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片而提供一鳍片结构。方法亦包括在鳍片上生长一牺牲氧化物层；蚀刻鳍片上的牺牲氧化物层以修整鳍片且产生每一鳍片的次一鳍片轮廓；及重复生长步骤及蚀刻步骤以修整鳍片，使得生长步骤及蚀刻步骤针对鳍片中至少两个鳍片的重复次数为不同的；以及在鳍片上方分别形成栅极结构。

附图说明

本揭露在与随附附图一起研读时自以下详细描述被最佳地理解。应强调的是，根据行业中的标准实践，各种特征并非按比例绘制且仅出于说明目的而使用。实际上，各种特征的尺寸为了论述清楚可经任意地增大或减小。

图1A示意性地图示根据本揭露的一些实施例的例示性FinFET装置的透视图；

图1B示意性地图示根据本揭露的一些实施例的具有多个鳍片的例示性FinFET装置的透视图；

图2A图示根据本揭露的一些实施例的半导体装置制造制程的各种阶段中的一者；

图2B及图2C图示根据本揭露的一些实施例的半导体装置制造制程的各种阶段中的一者；

图2D图示根据本揭露的一些实施例的半导体装置制造制程的各种阶段中的一者；

图2E及图2F图示根据本揭露的一些实施例的半导体装置制造制程的各种阶段中的一者；

图2G及图2H图示根据本揭露的一些实施例的半导体装置制造制程的各种阶段中的一者；

图3A图示根据本揭露的一些实施例的制造FinFET装置的制程步骤；

图3B图示根据本揭露的一些实施例的调整FinFET装置的鳍片轮廓的制程步骤；

图4A图示根据本揭露的一些实施例的FinFET装置的经调整鳍片轮廓；