[发明专利]芯片和电子器件

权利要求书

1.一种芯片，包括衬底和保护环结构，所述保护环结构设于所述衬底表面并环绕所述衬底的边缘布置，所述保护环结构包括内环和外环，其特征在于，所述保护环结构还包括压力分散结构，所述压力分散结构包括压力分散单元，所述压力分散单元设于所述衬底，并连接于所述内环与所述外环之间。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述压力分散结构包括多个所述压力分散单元，多个所述压力分散单元沿所述保护环结构的环绕路径相间隔地设置在所述内环和所述外环之间。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述芯片具有多个角隅部，所述保护环结构的环绕路径具有多个第一段和多个第二段，多个所述第一段分别对应于所述芯片的多条侧边，多个所述第二段分别对应于多个所述角隅部；其中，多个所述压力分散单元分为多个第一单元组和多个第二单元组，多个所述第一单元组分别分布于所述保护环结构的多个第一段，多个所述第二单元组分别分布于所述保护环结构的多个第二段。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，每个所述第一单元组的所述压力分散单元的数量为多个，并沿所述保护环结构的所述第一段的延伸方向间隔分布；和/或，每个所述第二单元组的所述压力分散单元的数量为多个，并沿所述保护环结构的所述第二段的延伸方向间隔分布。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述外环设有第一互连层结构和第一插塞层结构，所述第一互连层结构设于所述第一插塞层结构远离所述衬底表面的一侧，所述内环设有第二互连层结构和第二插塞层结构，所述第二互连层结构设于所述第二插塞层结构的远离所述衬底表面的一侧；其中，至少一个所述压力分散单元包括：

第三互连层结构，连接于所述第一互连层结构与所述第二互连层结构之间；

第三插塞层结构，连接于所述第一插塞层结构和所述第二插塞层结构之间；

所述第一互连层结构、所述第二互连层结构和所述第三互连层结构形成一互连体；

所述第一插塞层结构、所述第二插塞层结构和所述第三插塞层结构形成一插塞体。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述压力分散结构包括多个所述压力分散单元，多个所述压力分散单元沿所述保护环结构的环绕路径相间隔地设置在所述内环和所述外环之间；其中，多个所述压力分散单元包括：

第一压力分散单元，包括所述第三互连层结构和所述第三插塞层结构；以及，

第二压力分散单元，包括所述第三互连层结构和多个所述第三插塞层结构，且多个所述第三插塞层结构连接于所述外环的第一插塞层结构和所述内环的第二插塞层结构之间。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述芯片具有多个角隅部，所述保护环结构的环绕路径具有多个第一段和多个第二段，多个所述第一段分别对应于所述芯片的多条侧边，多个所述第二段分别对应于多个所述角隅部；其中，多个所述压力分散单元分为多个第一单元组和多个第二单元组，多个第一单元组分别分布于所述保护环结构的多个第一段，多个第二单元组分别分布于所述保护环结构的多个第二段；

每个所述第一单元组包括至少一个第一压力分散单元或至少一个第二压力分散单元；以及

每个所述第二单元组包括至少一个第二压力分散单元或至少一个第一压力分散单元。

8.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述芯片具有多个角隅部，所述保护环结构的环绕路径具有多个第一段和多个第二段，多个所述第一段分别对应于所述芯片的多条侧边，多个所述第二段分别对应于多个所述角隅部；其中，多个所述压力分散单元分为多个第一单元组和多个第二单元组，多个第一单元组分别分布于所述保护环结构的多个第一段，多个第二单元组分别分布于所述保护环结构的多个第二段；

每个所述第一单元组包括至少一个第一压力分散单元和至少一个第二压力分散单元；每个所述第二单元组包括至少一个第一压力分散单元和/或至少一个第二压力分散单元。