[发明专利]半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具

权利要求书

1.一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，其特征在于，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈(110)、第一绝缘栅双极型晶体管IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：

获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的脉冲宽度调制PWM的频率；

在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；

其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；

调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二IGBT的单次导通时长相同；

所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，

调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：

调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述半桥电磁器具的加热功率；

调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：

根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述加热功率，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比，包括：

若所述加热功率处于增加状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调小；

若所述加热功率处于减少状态，则将所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比调大。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一PWM的频率小于第一IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的频率；和，

在所述第二PWM的频率小于第二IGBT的预设工作频率时，调整所述第二IGBT对应的第二PWM的频率。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设工作频率为所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一IGBT和所述第二IGBT的最高工作频率为60kHz。

9.一种半桥电磁器具，其特征在于，包括：电磁线圈(110)、第一IGBT、第二IGBT、谐振电容(C2)以及控制单元(120)，所述电磁线圈(110)的一端连接在所述第一IGBT和所述第二IGBT之间，所述电磁线圈(110)的另一端与谐振电容(C2)连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容(C2)释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述控制单元(120)与所述第一IGBT、所述第二IGBT连接；

所述控制单元(120)，用于执行如权利要求1-8任一项所述的半桥电磁器具的电磁加热控制方法。