[发明专利]半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具

说明书

本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。所述方法包括：获取第一IGBT或第二IGBT对应的PWM的频率；在PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整第一IGBT对应的第一PWM的占空比与第二IGBT对应的第二PWM的占空比；其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的第一IGBT的单次导通时长相同；调整PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的第二IGBT的单次导通时长相同。可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。

技术领域

本发明实施例涉及家用器具技术领域，尤其涉及一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具。

背景技术

半桥电磁炉在加热时，加热功率与脉冲宽度调制(Pulse width modulation，PWM)频率有关，半桥电磁炉的控制系统通过调节上下桥臂绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,IGBT)的导通和截止的频率(即PWM的频率)来控制交变磁场的大小，进而控制锅具感应电流的大小，即控制加热功率大小。其中，功率越大，PWM的频率越低，功率越小，PWM的频率越高。

半桥电磁炉的加热功率非常小时，PWM的频率很高，会超过IGBT 最高工作频率，导致IGBT导通或关断波形不同程度失真，使IGBT处于异常工作状态，例如IGBT不能关断，则IGBT上电流持续增大超出最大限制后，导致IGBT损坏。

发明内容

本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法和半桥电磁器具，使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。

第一方面，本发明实施例提供一种半桥电磁器具的电磁加热控制方法，应用于半桥电磁器具，所述半桥电磁器具包括：电磁线圈、第一IGBT、第二 IGBT、谐振电容，所述电磁线圈的一端连接在所述第一IGBT和所述第二 IGBT之间，所述电磁线圈的另一端与谐振电容连接，所述第一IGBT的导通用于控制所述谐振电容储能，所述第二IGBT的导通用于控制所述谐振电容释能；所述第一IGBT与所述第二IGBT不同时导通；所述方法包括：

获取所述第一IGBT或所述第二IGBT对应的PWM的频率；

在所述PWM的频率大于或等于IGBT的预设工作频率时，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比；

其中，调整第一PWM的占空比前与调整第一PWM的占空比后的所述第一IGBT的单次导通时长相同；

调整第二PWM的占空比前与调整第二PWM的占空比后的所述第二 IGBT的单次导通时长相同。

本实施例，可在半桥电磁器具处于低功率加热状态下，加热功率变化时，通过调整PWM的占空比调整其加热功率。从而使半桥电磁器具可以连续低功率加热，提高用户体验，也可以提高烹饪效果。

可选的，所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT对应的第二PWM的占空比相同。

可选的，调整占空比后的第一PWM的频率小于等于所述预设工作频率；和，

调整占空比后的第二PWM的频率小于等于所述预设工作频率。

可选的，调整所述第一IGBT对应的第一PWM的占空比与所述第二IGBT 对应的第二PWM的占空比，包括：

调整所述第二IGBT由导通变为截止的时刻与所述第一IGBT由截止变为导通的时刻之间的时长。

可选的，所述方法还包括：

获取所述半桥电磁器具的加热功率；