[发明专利]半导体器件、半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个所述隔离结构之间的第一有源区，所述第一有源区具有预设外延区；

在所述预设外延区形成预设半导体层，所述预设半导体层的电子亲和能大于所述半导体衬底的电子亲和能；

在所述预设半导体层和所述半导体衬底共同构成的表面形成栅介质层；

在所述栅介质层的表面上形成栅极层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述预设外延区内形成向内凹陷的凹槽，所述预设半导体层形成于所述凹槽内。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述预设外延区内形成向内凹陷的凹槽包括：

在所述预设外延区的表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光，并显影形成显影区，所述显影区露出所述预设外延区的表面；

按照预设深度在所述显影区对所述预设外延区进行刻蚀，以形成凹槽；

去除所述光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述预设外延区形成预设半导体层包括：

采用外延工艺在所述预设外延区形成锗硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述锗硅层中锗的含量为10％～60％。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述预设外延区形成预设半导体层还包括：

采用外延工艺在所述锗硅层远离所述半导体衬底的一侧形成硅层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括第二有源区，所述第二有源区形成于所述隔离结构远离所述第一有源区的一侧。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述预设半导体层和所述半导体衬底共同构成的表面形成栅介质层包括：

在所述预设半导体层和所述半导体衬底共同构成的表面上形成界面层，所述界面层覆盖于所述第一有源区及所述第二有源区的顶表面，且与所述预设半导体层远离所述半导体衬底的表面相接触；

在所述界面层上形成第一介质层；

在所述第一介质层远离所述界面层的一侧形成第二介质层，所述第二介质层与所述第二有源区正对设置。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一介质层远离所述界面层的一侧形成第二介质层，所述第二介质层与所述第二有源区正对设置包括：

采用化学气相沉积的方式在所述第一介质层远离所述界面层的一侧形成参考介质层；

在所述参考介质层远离所述第一介质层的表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光，并显影形成显影区，所述显影区露出与所述第二有源区正对设置的所述参考介质层；

在所述显影区对所述参考介质层进行刻蚀，以形成图案；

去除所述光刻胶层。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述界面层的材料为氧化硅，所述第一介质层的材料为氧硅铪，所述第二介质层的材料为氧化镧。

11.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅，所述制备方法还包括：

向所述第一有源区进行P型掺杂和/或向所述第二有源区进行n型掺杂。