[发明专利]静电保护装置

权利要求书

1.一种静电保护装置，其特征在于，包括：

非连接引脚，位于封装体上；

虚拟焊盘，位于裸片上，所述裸片位于所述封装体中，所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接；

电源焊盘和接地焊盘，所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合；

所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方，所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方，所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方，所述第一阱位于所述衬底中，所述第二阱位于所述第一阱中。

2.根据权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一阱为深N阱，所述第二阱为P阱，所述衬底为P型衬底。

3.根据权利要求2所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一阱包含第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，所述虚拟焊盘与所述第一N型重掺杂区和所述第一P型重掺杂区均电连接；

所述第二阱包含第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，所述电源焊盘与所述第二N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区均电连接；

所述P型衬底包含第三P型重掺杂区，所述接地焊盘与所述第三P型重掺杂区电连接。

4.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一P型重掺杂区、所述深N阱、所述P阱形成第一PNP晶体管；

所述深N阱、所述P阱、所述第二N型重掺杂区形成第一NPN晶体管。

5.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一N型重掺杂区至所述P阱之间形成第一电阻；

所述第二P型重掺杂区至所述深N阱之间形成第二电阻。

6.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述P阱与所述深N阱之间形成第一二极管。

7.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一P型重掺杂区、所述深N阱、所述P型衬底形成第二PNP晶体管；

所述P型衬底还包含第三N型重掺杂区，所述深N阱、所述P型衬底、所述第三N型重掺杂区形成第二NPN晶体管。

8.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述第一N型重掺杂区至所述P型衬底之间形成第三电阻；

所述第三P型重掺杂区至所述深N阱之间形成第四电阻。

9.根据权利要求3所述的静电保护装置，其特征在于，所述P型衬底与所述深N阱之间形成第二二极管。

10.根据权利要求1所述的静电保护装置，其特征在于，所述静电泄放电路包括第一电路、与所述第一电路并联的第一二极管、第二电路以及与所述第二电路并联的第二二极管；

所述第一电路包括第一电阻、第二电阻、第一PNP晶体管和第一NPN晶体管，所述第一PNP晶体管的基极与所述第一NPN晶体管的集电极连接并通过所述第一电阻连接到所述虚拟焊盘，所述第一PNP晶体管的发射极与所述虚拟焊盘连接，所述第一PNP晶体管的集电极与所述第一NPN晶体管的基极连接并通过所述第二电阻连接到所述电源焊盘，所述第一NPN晶体管的发射极连接到所述电源焊盘；所述第一二极管的正极与所述电源焊盘连接，所述第一二极管的负极与所述虚拟焊盘连接；

所述第二电路包括第三电阻、第四电阻、第二PNP晶体管和第二NPN晶体管，所述第二PNP晶体管的基极与所述第二NPN晶体管的集电极连接并通过所述第三电阻连接到所述虚拟焊盘，所述第二PNP晶体管的发射极与所述虚拟焊盘连接，所述第二PNP晶体管的集电极与所述第二NPN晶体管的基极连接并通过所述第四电阻连接到所述接地焊盘，所述第二NPN晶体管的发射极连接到所述接地焊盘；所述第二二极管的正极与所述接地焊盘连接，所述第二二极管的负极与所述虚拟焊盘连接。