[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸的鳍，在所述形成之后，所述鳍具有第一宽度和第一高度；

在所述鳍的沟道区上方形成伪栅极堆叠件；

在与所述沟道区相邻的所述鳍中生长外延源极/漏极；以及

在生长所述外延源极/漏极之后，用金属栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件，在所述替换之前，所述鳍的所述沟道区具有所述第一宽度和所述第一高度，在所述替换之后，所述鳍的所述沟道区具有第二宽度和第二高度，所述第二宽度小于所述第一宽度，所述第二高度小于所述第一高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述金属栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件包括：

去除所述伪栅极堆叠件以暴露所述鳍的所述沟道区；

修整所述鳍的暴露沟道区；以及

在所述鳍的修整沟道区上形成所述金属栅极堆叠件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，修整所述鳍的所述沟道区包括：

氧化所述鳍的所述暴露沟道区的表面；以及

去除所述鳍的所述沟道区的氧化表面，

其中，所述氧化和所述去除循环重复预定次数。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，修整所述鳍的所述沟道区包括：

蚀刻所述鳍的所述暴露沟道区预定的时间量。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在与所述沟道区相邻的所述鳍中形成轻掺杂源极/漏极(LDD)区，所述外延源/漏极至少部分地在所述鳍的所述轻掺杂源极/漏极区中生长，

其中，在替换所述伪栅极堆叠件之后，所述轻掺杂源极/漏极区的最顶部表面在所述沟道区的最顶部表面之上延伸。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述轻掺杂源极/漏极区在所述外延源极/漏极和所述沟道区之间延伸，所述轻掺杂源极/漏极区具有6nm或更小的长度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一高度和所述第二高度之间的第一差异为0.2nm至2nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一宽度和所述第二宽度之间的第二差异为0.2nm至5nm。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在所述鳍周围形成浅沟槽隔离(STI)区，所述鳍从相邻的浅沟槽隔离区之间延伸，在所述形成之后，所述鳍具有第一宽度和第一高度；

在所述浅沟槽隔离区和所述鳍上形成伪栅极堆叠件；

在与所述伪栅极堆叠件相邻的所述鳍中生长源极/漏极区，在所述生长之后，所述鳍的部分保持所述第一宽度和所述第一高度；

去除所述伪栅极堆叠件以形成暴露所述鳍的所述部分的凹槽；

在去除所述伪栅极堆叠件之后，修整由所述凹槽暴露的所述鳍的所述部分，在所述修整之后，所述鳍的修整部分具有第二宽度和第二高度，所述第二宽度小于所述第一宽度，所述第二高度为小于所述第一高度；以及

在所述鳍的修整部分上形成金属栅极堆叠件。

10.一种半导体器件，包括：

鳍，从衬底延伸；

金属栅极堆叠件，位于所述鳍的沟道区上方；

轻掺杂源极/漏极(LDD)区，位于与所述沟道区相邻的所述鳍中，所述轻掺杂源极/漏极区具有凹形最顶部表面，所述凹形最顶部表面设置在所述沟道区之上；

外延源极/漏极，位于与所述轻掺杂源极/漏极区相邻的所述鳍中，所述轻掺杂源极/漏极区的所述凹形最顶部表面从所述外延源极/漏极的侧壁延伸到所述金属栅极堆叠件的侧壁；以及

栅极间隔件，具有沿所述金属栅极堆叠件的侧壁延伸的第一部分和沿所述轻掺杂源极/漏极区的所述凹形最顶部表面延伸的第二部分。