[发明专利]一种无粗大晶粒产生的高压电子铝箔及其制备方法

说明书

本发明公开了一种无粗大晶粒产生的高压电子铝箔及其制备方法。纯铝锭依次通过熔炼、扒渣、分析熔液中各元素成分，精炼，铸造，铣面，均匀热处理，热轧，冷箔轧，中间退火，箔轧及成品退火，得到高压电子铝箔。其中各元素的质量百分比如下：硅0.0005～0.0030％，铁0.0005～0.0025％，铜0.0025～0.0065％，锰＜0.0015％，锌＜0.0010％，钛＜0.0010％，镓＜0.0010％，硼＜0.0005％，铅＜0.0003％，合计≤0.0100％，其余为Al。该方法生产制备的高压电子铝箔内部没有了粗大异常晶粒的产生，解决了现有技术中高压电子铝箔内粗大异常晶粒无法有效消除的问题，其非(100)面织构晶粒度＜2mm，有效避免了其中粗大晶粒带来的缺陷，解决了现有技术中无法消除粗大晶粒的问题，具有很好的应用前景。

技术领域

本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无粗大晶粒产生的高压电子铝箔及其制备方法。

背景技术

随着光伏、变频器、LED照明灯、充电桩、电动汽车以及电子信息产业的发展，对电解电容器的需求量越来越大，而其中铝电解电容器因价格低廉、性能稳定在各个领域中具有广泛的应用。

根据对铝箔电压的划分，高压电子铝箔铝电解电容器高压电子铝箔的工作电压一般用于400～650vf，容量在0.5～1.2uF/cm₂，(100)织构具有85～100％的占有率。高压电解电容器铝箔的要求是Al含量＞99.99％。厚度在80～150μm，并有合适的晶粒度和一定的强度。即高压电子铝箔需要很强的(100)织构，其体积分数要求达到85～100％，而且内部晶粒度对其性能具有关键性的影响，因此高压铝箔生产的难度相当大，技术含量相当高。

目前生产的高压电子铝箔难以避免其中产生的2mm以上的粗大晶粒，这些粗大晶粒为非(100)织构，使腐蚀后的比容发生大幅度下降，同时腐蚀外观呈现不均匀亮斑，大大降低产品性能，不能满足实际使用的需求，甚至导致产品报废、造成资源的严重浪费。

发明内容

本发明针对的技术问题是：现有技术中生产的高压电子铝箔中无法避免2mm以上非(100)面粗大晶粒的产生，使腐蚀后的比容发生大幅度下降，同时腐蚀外观呈现不均匀亮斑，降低了产品性能达不到使用要求，甚至造成产品报废，造成资源的严重浪费。

针对上述问题，本发明提供了一种无粗大晶粒产生的高压电子铝箔及其制备方法，本发明制备得到的高压电子铝箔内无粗大晶粒的产生，其非(100)面晶粒度＜2mm，有效避免了其中粗大晶粒带来的缺陷，解决了现有技术中无法消除粗大晶粒的问题，具有很好的应用前景。

本发明是通过以下技术方案产生的

一种无粗大晶粒产生的高压电子铝箔，该高压电子铝箔中各元素的质量百分比如下：硅0.0005～0.0030％，铁0.0005～0.0025％，铜0.0025～0.0065％，锰＜0.0015％，锌＜0.0010％，钛＜0.0010％，镓＜0.0010％，硼＜0.0005％，铅＜0.0003％，合计≤0.0100％，其余为Al。

所述无粗大晶粒产生的高压电子铝箔的制备方法，将纯铝锭(纯铝锭纯度≧99.99)依次通过熔炼、扒渣、分析熔液中各元素成分，精炼，铸造，铣面，均匀热处理，热轧，冷箔轧，中间退火，箔轧及成品退火，退火完成得到高压电子铝箔；其中冷箔轧的轧制道次为6～9次，每道次压下率为15～50％，轧制力为50～250吨，张力为10～40MPa，轧制时控制油温为20～60℃。