[发明专利]一种光学临近效应修正方法及装置

说明书

本发明公开了一种光学临近效应修正方法及装置，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，光学临近效应修正方法包括：获取目标布局图形；将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置控制点；线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域；通过控制点对所述片段进行修正，获取修正图形和模拟轮廓；计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；根据偏差值对控制点进行调整，获得调整后的修正图形。本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻的图形畸变进行修正。

技术领域

本发明涉及光学临近效应技术领域，尤其涉及一种光学临近效应修正方法及装置。

背景技术

随着集成电路元件缩小化以及集成化，各膜层的关键尺寸越来越小，在半导体工艺中，往往通过光刻将掩膜图形转移至硅片上形成各膜层图形，但是因为各元件的尺寸减小，光刻的准确率越低。

具体的，在光刻过程中，因为光的干涉效应和衍射效应，使得硅片上实际的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的畸变和偏差，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。光学临近效应引起的图形畸变主要表现为线宽偏移、线端缩短、遗漏图案或连条、角部变圆等特征。这些特征直接影响元器件性能，并降低生产成品率，浪费生产成本，不利于现在的集成电路的工业化生产。

发明内容

本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻过程的图形畸变进行修正。

第一方面，本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：

获取所述目标布局图形；

将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置若干个控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

调整所述控制点对所述片段进行修正，获取修正图形；

根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光学临近效应修正装置，应用于至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝的目标布局图形，包括：

片段及控制点设置模块，用于获取所述目标布局图形；将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置若干个控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

修正模块，用于调整所述控制点对片段进行修正，获取修正图形；

轮廓模块，用于根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

偏差计算模块，用于计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；

迭代模块，用于循环调用所述修正模块和所述轮廓模块，直到所述偏差计算模块获取的所述偏差值满足工艺需求。