[发明专利]一种半导体器件及其制程方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制程方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供前体，所述前体包括硅基板(100)、栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(300)；硅基板(100)上形成有多个磊晶(110)，并在邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；栅极堆叠件(200)位于硅基板(100)上的沟道(120)内；栅极间隔件(300)位于硅基板(100)和磊晶(110)上并环绕栅极堆叠件(200)；

步骤S2、在栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(300)上方形成介电层(500)；依次蚀刻介电层(500)和栅极间隔件(300)，形成连接至磊晶(110)的第一连通孔(700)；蚀刻介电层(500)，形成连接至栅极堆叠件(200)的第二连通孔(710)；

步骤S3、在介电层(500)上方化学沉积金属钽，从而形成钽基层；该钽基层包括覆盖在第一连通孔(700)孔壁上，并封闭第一连通孔(700)的底部开口，与磊晶(110)连接的第一钽基衬套(610)，以及覆盖在第二连通孔(710)孔壁上，并封闭第二连通孔(710)的底部开口，与栅极堆叠件(200)连接的第二钽基衬套(620)；

步骤S4、在钽基层上方化学沉积金属钴，从而形成钴层；钴层包括覆盖在第一钽基衬套(610)上的第一钴层衬套(630)，以及覆盖在第二钽基衬套(620)上的第二钴层衬套(640)；

步骤S5、依次蚀刻钽基层和钴层，从而将介电层(500)顶面暴露出来；然后，将金属铜填充在第一连通孔(700)中由第一钴层衬套(630)所围的空间，从而形成第一铜填充部(650)；并将金属铜填充在第二连通孔(710)中由第二钴层衬套(640)所围的空间，从而形成第二铜填充部(660)。

2.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，步骤S2还包括：

在栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(300)上方形成金属闸极保护层(400)，再在金属闸极保护层(400)上方形成介电层(500)；

依次蚀刻介电层(500)、金属闸极保护层(400)和栅极间隔件(300)，形成连接至磊晶(110)的第一连通孔(700)；依次蚀刻介电层(500)、金属闸极保护层(400)，形成连接至栅极堆叠件(200)的第二连通孔(710)。

3.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，在步骤S5之后，还包括：

步骤S6、形成密封覆盖第一连通孔(700)的顶部开口，用于与第一钴层衬套(630)配合包裹第一铜填充部(650)的第一钴帽(800)；并形成密封覆盖第二连通孔(710)的顶部开口，用于与第二钴层衬套(640)配合包裹第二铜填充部(660)的第二钴帽(810)。

4.一种半导体器件，其特征在于，包括：

硅基板(100)，形成有多个磊晶(110)，并在邻近两个磊晶(110)之间形成有沟道(120)；

栅极堆叠件(200)，位于硅基板(100)上的沟道(120)内；

栅极间隔件(300)，位于硅基板(100)和磊晶(110)上并环绕栅极堆叠件(200)；

介电层(500)，位于栅极堆叠件(200)和栅极间隔件(300)上方；

第一连通孔(700)，贯穿介电层(500)、栅极间隔件(300)并连接至磊晶(110)；

第二连通孔(710)，贯穿介电层(500)并连接至栅极堆叠件(200)；

第一钽基衬套(610)，覆盖在第一连通孔(700)孔壁上，并封闭第一连通孔(700)的底部开口，与磊晶(110)连接；

第二钽基衬套(620)，覆盖在第二连通孔(710)孔壁上，并封闭第二连通孔(710)的底部开口，与栅极堆叠件(200)连接；

第一钴层衬套(630)，覆盖在第一钽基衬套(610)上；

第二钴层衬套(640)，覆盖在第二钽基衬套(620)上；

第一铜填充部(650)，填充在第一连通孔(700)中由第一钴层衬套(630)所围的空间；

第二铜填充部(660)，填充在第二连通孔(710)中由第二钴层衬套(640)所围的空间。