[发明专利]显示装置及显示装置的制作方法在审
申请号: | 201911210317.7 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111063820A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,包括显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域;
挡墙结构,设置于所述非显示区域上,并环绕所述显示区域;以及
封装层,设置于所述基板上,包括至少一有机层以及无机层;
其中,所述挡墙结构包括靠近所述显示区域一侧的第一挡墙和位于所述挡墙结构最外侧的第二挡墙,所述第一挡墙为断点式的环状结构,包括多个墙体,所述第二挡墙为封闭环状结构,所述有机层覆盖所述显示区域,并通过相邻所述墙体之间形成的间隙延伸至所述第一挡墙远离所述显示区域的一侧,暴露出所述第一挡墙远离所述基板的一端,所述无机层覆盖所述有机层以及所述挡墙结构。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置于所述基板上的平坦层和像素定义层,所述第一挡墙的材料与所述像素定义层的材料相同,所述第二挡墙包括由与所述平坦层相同的材料制成的第一部分和位于所述第一部分上并且由与所述像素定义层相同的材料制成的第二部分。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置于所述基板上的平坦层和像素定义层,所述第一挡墙和所述第二挡墙均包括由与所述平坦层相同的材料制成的第一部分和位于所述第一部分上并且由与所述像素定义层相同的材料制成的第二部分。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述挡墙结构包括至少三层挡墙,位于所述第二挡墙与所述显示区域之间的各所述挡墙均为断点式的环状结构,并且沿所述第一挡墙至所述显示区域的方向,各层所述挡墙的墙体之间形成的间隙的距离逐渐减小,各层挡墙的墙体在沿其环绕方向上的长度逐渐增大。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,位于所述第二挡墙靠近所述显示区域一侧的所述挡墙中,任意相邻两层所述挡墙的所述间隙均错开设置。
6.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述至少三层挡墙中,所述第二挡墙在垂直于所述基板的方向上的高度大于或等于位于所述第二挡墙靠近所述显示区域一侧的各挡墙的高度。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述有机层在所述非显示区域的部分的表面与所述基板的距离小于所述第一挡墙远离所述基板一侧表面与所述基板的距离。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述无机层的材料包括SiNx、SiOxNy、SiOx、SiCxNy、ZnO或AlOx。
9.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板包括显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域;
在所述基板上同时形成平坦层以及第二挡墙的第一部分;
采用同一掩膜板,同时形成位于所述平坦层上的像素定义层、位于所述第一部分上的第二部分以及位于所述第二挡墙与所述显示区域之间呈断点式环状结构的第一挡墙;
在所述基板上沉积形成第一无机层,所述第一无机层覆盖所述显示区域、所述第一挡墙和所述第二挡墙;
在所述第一无机层上沉积形成有机层,所述有机层覆盖所述显示区域,并通过所述第一挡墙之间的间隙延伸至所述第一挡墙远离所述显示区域的一侧,暴露出所述第一挡墙远离所述基板的一端;以及
在所述有机层上形成第二无机层,所述第二无机层覆盖所述有机层和所述第一无机层。
10.如权利要求9所述的显示装置的制作方法,其特征在于,所述第一部分的材料与所述平坦层的材料相同,所述第二部分和所述第二挡墙的材料与所述像素定义层的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择