[发明专利]显示装置及显示装置的制作方法在审
申请号: | 201911210317.7 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111063820A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制作方法 | ||
本揭示提供一种显示装置及显示装置的制作方法,所述显示装置包括:基板,包括显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域;挡墙结构,设置于所述非显示区域上,并环绕所述显示区域;封装层,设置于所述基板上,包括至少一有机层以及无机层;其中,挡墙结构包括第一挡墙和第二挡墙,第一挡墙为断点式的环状结构,包括多个墙体,第二挡墙为封闭环状结构,有机层覆盖显示区域,并通过相邻所述墙体之间形成的间隙延伸至所述第一挡墙远离所述显示区域的一侧,暴露出所述第一挡墙远离所述基板的一端与无机层形成内嵌结构,能够增大无机层与第一挡墙的粘附力,防止封装层边缘脱落或翘起现象的产生,提高封装层的封装效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及显示装置的制作方法。
背景技术
在显示技术领域,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,TFT-LCD),由于其成熟的工艺以及稳定的大批量生产,一直占据着主流市场。相比于LCD,有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、低功耗,并且可实现柔性显示等优点,被认为是新一代的显示技术,具有广阔的应用前景。
然而,OLED器件对水氧特别敏感,金属电极及有机发光材料遇到水氧后极易老化,为了防止器件受到破坏,需要在金属电极以及发光材料上进行封装以对其进行保护。传统的封装方法是盖板封装,但使用盖板封装后,OLED器件不能进行弯折。为了实现柔性显示的目的,现在广泛采用的是薄膜封装的方法,即采用多层无机层/有机层薄膜交叠的方式进行封装,其中无机层用来阻隔水氧,有机层用来缓冲弯曲过程中产生的应力。但是薄膜封装中的有机层通常流动性较好,边界不容易控制,当其流动至无机层镀膜区域之外时,水氧就容易从侧向入侵,进而破坏OLED器件。
综上所述,现有有机发光二极管显示装置存在薄膜封装结构的有机层边界不容易控制导致有机发光二极管器件受水氧破坏的问题。故,有必要提供一种显示装置及显示装置的制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示装置及显示装置的制作方法,用于解决现有有机发光二极管显示装置存在的薄膜封装结构的有机层边界不容易控制导致有机发光二极管器件受水氧破坏的问题。
本揭示实施例提供显示装置,包括:
基板,包括显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域;
挡墙结构,设置于所述非显示区域上,并环绕所述显示区域;以及
封装层,设置于所述基板上,包括至少一有机层以及无机层;
其中,所述挡墙结构包括靠近所述显示区域一侧的第一挡墙和位于所述挡墙结构最外侧的第二挡墙,所述第一挡墙为断点式的环状结构,包括多个墙体,所述第二挡墙为封闭环状结构,所述有机层覆盖所述显示区域,并通过相邻所述墙体之间形成的间隙延伸至所述第一挡墙远离所述显示区域的一侧,暴露出所述第一挡墙远离所述基板的一端,所述无机层覆盖所述有机层以及所述挡墙结构。
根据本揭示一实施例,所述显示装置还包括设置于所述基板上的平坦层和像素定义层,所述第一挡墙的材料与所述像素定义层的材料相同,所述第二挡墙包括由与所述平坦层相同的材料制成的第一部分和位于所述第一部分上并且由与所述像素定义层相同的材料制成的第二部分。
根据本揭示一实施例,所述显示装置还包括设置于所述基板上的平坦层和像素定义层,所述第一挡墙和所述第二挡墙均包括由与所述平坦层相同的材料制成的第一部分和位于所述第一部分上并且由与所述像素定义层相同的材料制成的第二部分。
根据本揭示一实施例,所述挡墙结构包括至少三层挡墙,位于所述第二挡墙与所述显示区域之间的各所述挡墙均为断点式的环状结构,并且沿所述第一挡墙至所述显示区域的方向,各层所述挡墙的墙体之间形成的间隙的距离逐渐减小,各层挡墙的墙体在沿其环绕方向上的长度逐渐增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择