[发明专利]R-T-B系永磁体有效
| 申请号： | 201911211435.X | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261353B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 增田健;坪仓多惠子;村瀬琢 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;谢弘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永磁体 | ||
1.一种含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B的R-T-B系永磁体，其特征在于：
至少一部分所述稀土元素R为钕、以及铽和镝中的至少一种，
至少一部分所述过渡金属元素T为铁，
所述R-T-B系永磁体含有多个主相颗粒和被三个以上的所述主相颗粒包围的晶界三叉点，
所述晶界三叉点包含钕和镨中的至少一种、铽和镝中的至少一种、铁和钴中的至少一种、以及铜，
所述晶界三叉点中的钕的含量的平均值表示为[Nd]原子％，
所述晶界三叉点中的镨的含量的平均值表示为[Pr]原子％，
所述晶界三叉点中的铽的含量的平均值表示为[Tb]原子％，
所述晶界三叉点中的镝的含量的平均值表示为[Dy]原子％，
所述晶界三叉点中的铁的含量的平均值表示为[Fe]原子％，
所述晶界三叉点中的钴的含量的平均值表示为[Co]原子％，
所述晶界三叉点中的铜的含量的平均值表示为[Cu]原子％，
[Nd]、[Pr]、[Fe]和[Co]满足2.12≤([Fe]+[Co])/([Nd]+[Pr])≤5.00，
[Tb]、[Dy]和[Cu]满足1.00≤[Cu]/([Tb]+[Dy])≤4.00。
2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁体，其特征在于：
所述R-T-B系永磁体的整体中的铽和镝的含量的合计值为0.20质量％以上5.00质量％以下。
3.如权利要求1或2所述的R-T-B系永磁体，其特征在于：
所述R-T-B系永磁体的整体中的钕、镨、铽和镝的含量的合计值为27.00质量％以上33.00质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的铜的含量为0.04质量％以上0.50质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的镓的含量为0.03质量％以上0.30质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的钴的含量为0.30质量％以上3.00质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的铝的含量为0.15质量％以上0.30质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的锆的含量为0.10质量％以上1.00质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的锰的含量为0.02质量％以上0.10质量％以下，
所述R-T-B系永磁体的整体中的硼的含量为0.85质量％以上1.05质量％以下。
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