[发明专利]R-T-B系永磁体有效
申请号: | 201911211435.X | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111261353B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 增田健;坪仓多惠子;村瀬琢 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 永磁体 | ||
永磁体为含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B的R‑T‑B系永磁体,至少一部分R为Nd、以及Tb和Dy中的至少一种,至少一部分T为Fe,永磁体包含多个主相颗粒和被主相颗粒包围的晶界三叉点,晶界三叉点包含Nd和Pr中的至少一种、Tb和Dy中的至少一种、Fe和Co中的至少一种、以及铜,晶界三叉点中的Nd、Pr、Tb、Dy、Fe、Co和Cu各自的含量(单位:原子%)的平均值表示为[Nd]、[Pr]、[Tb]、[Dy]、[Fe]、[Co]和[Cu],([Fe]+[Co])/([Nd]+[Pr])为2以上5以下,[Cu]/([Tb]+[Dy])为1以上4以下。
技术领域
本发明涉及R-T-B系永磁体。
背景技术
含有稀土元素R(钕等)、过渡金属元素T(铁等)、硼B的R-T-B系永磁体具有优异的磁特性。作为表示R-T-B系永磁体的磁特性的指标,一般使用剩余磁通密度Br(剩余磁化)和矫顽力HcJ。
R-T-B系永磁体为成核型的永磁体。通过对成核型的永磁体施加与磁化方向相反的磁场,容易在构成永磁体的多个晶粒(主相颗粒)的晶界附近产生磁化反转的核。由于该磁化反转的核,永磁体的矫顽力减小。
为了提高R-T-B系永磁体的矫顽力,向R-T-B系永磁体添加镝等的重稀土元素。(参照特开2011-187734号公报。)通过重稀土元素的添加,各向异性磁场容易在晶界附近局部变大,磁化反转的核不易在晶界附近产生,矫顽力增加。但是,在重稀土元素的添加量过多的情况下,R-T-B系永磁体的饱和磁化(饱和磁通密度)减少,剩余磁通密度也减少。因此,期望兼顾含有重稀土元素的R-T-B系永磁体的剩余磁通密度和矫顽力。另外,重稀土元素的价格高,因此,为了降低R-T-B系永磁体的制造成本,也期望降低R-T-B系永磁体中的重稀土元素的含量。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而进行的,目的在于提供磁特性优异的R-T-B系永磁体。
用于解决课题的方法
本发明的一个方面提供一种R-T-B系永磁体,含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B,其中,至少一部分稀土元素R为钕、以及铽和镝中的至少一种,至少一部分过渡金属元素T为铁,R-T-B系永磁体含有多个主相颗粒和被三个以上的主相颗粒包围的晶界三叉点,晶界三叉点包含钕和镨中的至少一种、铽和镝中的至少一种、铁和钴中的至少一种、以及铜,晶界三叉点中的钕的含量的平均值表示为[Nd]原子%,晶界三叉点中的镨的含量的平均值表示为[Pr]原子%,晶界三叉点中的铽的含量的平均值表示为[Tb]原子%,晶界三叉点中的镝的含量的平均值表示为[Dy]原子%,晶界三叉点中的铁的含量的平均值表示为[Fe]原子%,晶界三叉点中的钴的含量的平均值表示为[Co]原子%,晶界三叉点中的铜的含量的平均值表示为[Cu]原子%,[Nd]、[Pr]、[Fe]和[Co]满足2.00≤([Fe]+[Co])/([Nd]+[Pr])≤5.00,[Tb]、[Dy]和[Cu]满足1.00≤[Cu]/([Tb]+[Dy])≤4.00。
R-T-B系永磁体的整体中的铽和镝的含量的合计值可以为0.20质量%以上5.00质量%以下。
R-T-B系永磁体的整体中的钕、镨、铽和镝的含量的合计值可以为27.00质量%以上33.00质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的铜的含量可以为0.04质量%以上0.50质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的镓的含量可以为0.03质量%以上0.30质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的钴的含量可以为0.30质量%以上3.00质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的铝的含量可以为0.15质量%以上0.30质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的锆的含量可以为0.10质量%以上1.00质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的锰的含量可以为0.02质量%以上0.10质量%以下,R-T-B系永磁体的整体中的硼的含量可以为0.85质量%以上1.05质量%以下。
发明的效果
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