[发明专利]一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置有效
| 申请号： | 201911211728.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110991039B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 袁明红 | 申请（专利权）人： | 南京华大九天科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06T17/00 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 nand 存储器 单元 建模 方法 装置 | ||
1.一种三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：
遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；
所述遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系的步骤，进一步包括以下步骤：
选取顶层的存储器单元，根据选定的电压范围，测出电流特性，得到顶层的存储器单元电阻特性关系；
选取顶层之外的存储器单元，并根据选定的电压范围，测出其电流特性，得到该存储器单元的电阻特性，直至遍历至最底层，得到所有层的存储器单元的电阻特性关系；
运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；
对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；
利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。
2.根据权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，所述对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据的步骤，包括：
根据获得的存储器单元漏端电流对栅压的曲线和漏端电流对漏端电压的曲线，利用BSIM4模型得到存储器单元的电流/电压模型。
3.根据权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数的步骤，包括，
根据对比存储器单元串联电阻组成的电路电流/电压仿真曲线和实测数据的差异，调整和/或优化所述电阻特性关系，从而得到符合存储器单元的电阻特性关系。
4.一种三维NAND存储器单元的建模装置，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序，所述处理器运行所述程序时执行权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法的步骤。
5.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华大九天科技有限公司，未经南京华大九天科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911211728.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
