[发明专利]一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置

说明书

一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。本发明提供的一种三维NAND存储器单元的建模方法，得到实际存储器单元器件特性精确的仿真出存储器单元的器件特性，并建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种三维NAND存储器单元的建模方法。

背景技术

随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即三维NAND存储器 (3D NAND Flash)；随着集成度的越来越高，三维NAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。

由于三维NAND存储器特有的堆叠技术，其存储器单元构造有别去普通的闪存（NAND flash）。为了精确的仿真出三维NAND存储器的器件特性，需要建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。

发明内容

为了解决现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种三维NAND存储器单元的建模方法，通过建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系，精确的仿真出三维NAND存储器的器件特性。

为实现上述目的，本发明提供的一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：

遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；

运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；

对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；

利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。

进一步地，所述遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系的步骤，进一步包括以下步骤：

选取顶层的存储器单元，根据选定的电压范围，测出电流特性，得到顶层的存储器单元电阻特性关系；

选取顶层之外的存储器单元，并根据选定的电压范围，测出其电流特性，得到该存储器单元的电阻特性，直至遍历至最底层，得到所有层的存储器单元的电阻特性关系。

进一步地，所述对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据的步骤，包括：

根据获得的存储器单元漏端电流对栅压的曲线和漏端电流对漏端电压的曲线，利用BSIM4模型得到存储器单元的电流/电压模型。

更进一步地，利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数的步骤，包括，

根据对比存储器单元串联电阻组成的电路电流/电压仿真曲线和实测数据的差异，调整和/或优化所述电阻特性关系，从而得到符合存储器单元的电阻特性关系。

为实现上述目的，本发明还提供一种三维NAND存储器单元的建模装置，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序，所述处理器运行所述程序时执行上述三维NAND存储器单元的建模方法的步骤。

为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述三维NAND存储器单元的建模方法的步骤。