[发明专利]对准误差测量方法有效
申请号: | 201911212303.9 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN110967948B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 齐月静;杨光华;王宇;李璟;卢增雄;齐威;孟璐璐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王中苇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 误差 测量方法 | ||
一种对准误差测量方法,用于测量非对称的第一对准标记引入的对准误差,方法包括:根据非对称位置确定至少四种类型的非对称对准标记,每一非对称对准标记包括一种所述非对称位置,所述第一对准标记包括至少一种非对称位置;测量每一非对称对准标记引入的对准误差分量,以及测量第一对准标记对应的第一测量信号;利用电磁仿真模型分别获取对称对准标记、每一非对称对准标记对应的理论测量信号;根据第一测量信号、对称对准标记对应的理论测量信号、每一非对称对准标记对应的理论测量信号和对准误差分量计算每一非对称对准标记对应的权重因子;根据每一非对称对准标记对应的权重因子和对准误差分量计算第一对准标记引入的对准误差。
技术领域
本公开涉及光学领域,具体地,涉及一种对准误差测量方法。
背景技术
根据极紫外光刻技术路线图,随着关键尺寸(Critical Dimension,CD)进入到7nm及以下工艺节点,对套刻精度要求小于2nm。基于相位光栅对准方法中,由于相位光栅标记在加工过程和后续处理过程中,尤其是刻蚀、沉积、化学机械抛光以及温度变化的影响,导致相位光栅标记结构变化。根据相位光栅的对准原理可知,相位光栅标记结构的非对称性变化不仅影响信号对比度,还会导致对准误差。因此,分析标记结构的非对称性对对准精度的影响,对提高对准精度至关重要。
相关技术中,通常采用散射测量系统获得对准标记的整个结构,然后再整体分析对准标记的变化对对准精度的影响。散射测量是一种模型测量的方式,通过将计算机模拟仿真数据与实验数据比较,获得对准标记的结构参数信息。比较方法总体上分为直接优化法和库搜索法。直接优化法适于简单的光栅结构,并且计算机功能强大的情况。库搜索法需要预先建立庞大的数据库,并且由于库搜索总能找到“最合适”的值,当真值在数据库之外时,库搜索无效。此外,在建立数据库时,需要进行大量的实验验证,保证使用数据库的正确性。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本公开提供了一种对准误差测量方法,以解决上述技术问题。
(二)技术方案
本公开提供了一种对准误差测量方法,用于测量非对称的第一对准标记引入的对准误差,方法包括:根据非对称位置确定至少四种类型的非对称对准标记,每一所述非对称对准标记包括一种所述非对称位置,所述第一对准标记包括至少一种所述非对称位置;测量每一所述非对称对准标记引入的对准误差分量,以及测量所述第一对准标记对应的第一测量信号;利用电磁仿真模型分别获取对称对准标记、每一所述非对称对准标记对应的理论测量信号;根据所述第一测量信号、对称对准标记对应的理论测量信号、每一非对称对准标记对应的理论测量信号和对准误差分量计算每一非对称对准标记对应的权重因子;根据每一所述非对称对准标记对应的权重因子和对准误差分量计算所述第一对准标记引入的对准误差。
可选地,所述测量每一所述非对称对准标记引入的对准误差分量,包括:获取每一所述非对称对准标记对应的非对称性参数;根据每一所述非对称性参数测量其对应的非对称对准标记引入的对准误差分量。
可选地,所述根据所述第一测量信号、对称对准标记对应的理论测量信号、每一非对称对准标记对应的理论测量信号和对准误差分量计算每一非对称对准标记对应的权重因子包括:根据所述第一测量信号、对称对准标记对应的理论测量信号、每一非对称对准标记对应的理论测量信号计算每一非对称对准标记对应的第一权重因子;根据每一所述非对称对准标记对应的对准误差分量、第一测量信号、对称对准标记对应的理论测量信号对所述第一权重因子进行更新,以得到所述权重因子。
可选地,当计算每一非对称对准标记对应的第一权重因子之后,所述方法还包括:根据每一所述非对称对准标记对应的第一权重因子确定条件因子;根据所述条件因子修改所述第一权重因子。
可选地,所述根据所述条件因子修改所述第一权重因子,包括:当所述条件因子不大于第一阈值时,所述第一权重因子保持不变;当所述条件因子大于所述第一阈值时,将所述第一权重因子中的最大值或最小值修改为0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911212303.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。