[发明专利]形成半导体结构的方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201911212616.4 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112908846A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 叶昌鑫;黄俊凯;洪政源;田伟辰;吴以德 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：
提供半导体基板；以及
使用原子层气相沉积设备，在所述半导体基板上形成钝化层，其中所述原子层气相沉积设备在形成所述钝化层时使用前驱物，且所述前驱物包含含硅化合物。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子层气相沉积设备是等离子体辅助原子层气相沉积设备，且在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备的腔体压力为400毫托至800毫托。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备产生的射频频率为40.68MHz。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述钝化层的期间，所述等离子体辅助原子层气相沉积设备将所述半导体基板加热至摄氏150度至摄氏250度，且所述等离子体辅助原子层气相沉积设备产生的射频功率密度为60毫瓦/平方厘米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前驱物为气体还包含氢气。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氢气与所述含硅化合物的气体流量比值为15至20。
7.一种半导体结构，其特征在于，包含：
依据权利要求1至6中任一项的方法所形成的半导体基板及钝化层；
背电场层，设置于所述钝化层上，所述背电场层与所述半导体基板分别位于所述钝化层的相对两侧；以及
电极层，设置于所述背电场层上，所述电极层与所述钝化层分别位于所述背电场层的相对两侧。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.5纳米至2纳米。
9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述背电场层的材料为非晶硅或微晶硅。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基板与所述钝化层之间的介面缺陷密度小于6×1012eV-1cm-2。
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