[发明专利]一种二维结构硫化钼修饰溴氧铋的光阳极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种二维结构硫化钼修饰溴氧铋的光阳极材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

1）将铋源和溴源溶于乙二醇中，搅拌均匀至溶液澄清，得到溴氧铋前驱体溶液；

2）将导电载体的导电面向下放置于水热釜中，将溴氧铋前驱体溶液倒入水热釜中，密封，进行第一反应，再经冷却、洗净、烘干后得到溴氧铋光阳极前驱体；

3）将溴氧铋光阳极前驱体进行煅烧，得到溴氧铋光阳极；

4）将钼酸钠水溶液、硫代乙酰胺水溶液、柠檬酸钠水溶液于水中混合搅拌，得到硫化钼前驱体溶液；

5）将溴氧铋光阳极置于水热釜中，加入硫化钼前驱体溶液，密封，进行第二反应，反应结束后冷却、洗净并烘干得到所述二维结构硫化钼修饰溴氧铋的光阳极材料；

所述溴源为十六烷基三甲基溴化铵；

步骤1）中，溴氧铋前驱体溶液中以铋离子计的铋源、以溴离子计的溴源与乙二醇的用量比为0.05-0.1mol：0.05-0.1mol：25-35mL；

步骤2）中，第一反应的温度为140-180℃；

步骤3）中，煅烧的温度为400℃-500℃，煅烧的升温速率为2-5℃/min；

步骤4）包括：

将0.01-0.1mol/L钼酸钠水溶液2.5-3.5mL、0.01-0.1mol/L硫代乙酰胺水溶液2.5-3.5mL、0.01-0.1mol/L柠檬酸钠水溶液0.015-0.025mL于35-45mL的去离子水中混合搅拌，得到硫化钼前驱体溶液；

步骤5）中，第二反应的温度为180-220℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤1）中，所述铋源选自硝酸铋、硫酸铋和氯化铋中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤2）中，所述导电载体选自导电玻璃、泡沫镍、碳纸、碳毡和金属薄片中的至少一种。

4.由权利要求1-3中任意一项所述的制备方法制备得到的二维结构硫化钼修饰溴氧铋的光阳极材料。