[发明专利]微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法在审
申请号: | 201911214312.1 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN111081604A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 樊勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L27/15;G02F1/1347;G02F1/139;G02F1/141 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 转移 装置 方法 | ||
1.一种微发光二极管转移装置,其特征在于,包括:
固持部件,用于固持转移基板;
光源,用于提供面状光线;以及
液晶光阀,设置于所述面状光线的传输路径上,所述液晶光阀包括多个子光阀,所述子光阀与所述转移基板上的微发光二极管相对应。
2.如权利要求1所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述微发光二极管转移装置还包括吸附部件,所述吸附部件用于吸附并转移目标基板上不合格的微发光二极管。
3.如权利要求1所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述液晶光阀包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板之间设有交叉设置的光阻挡墙,相邻所述光阻挡墙与所述第一基板和所述第二基板形成所述子光阀,所述子光阀内填充有液晶。
4.如权利要求3所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述第一基板靠近所述第二基板一侧设有第一驱动电极,所述第二基板靠近所述第一基板一侧设有第二驱动电极,所述第一电极和所述第二电极的材料均为透明导电材料。
5.如权利要求4所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述第二驱动电极的驱动方式包括主动矩阵驱动方式或被动矩阵驱动方式。
6.如权利要求4所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述第一基板远离所述第二基板一侧设有第一偏光片,所述第二基板远离所述第一基板一侧设有第二偏光片,所述第一偏光片和所述第二偏光片均为金属线栅型偏光片。
7.如权利要求1所述的微发光二极管转移装置,其特征在于,所述光源包括紫外线光源或红外线光源。
8.一种微发光二极管转移方法,其特征在于,采用如权利要求1至7任一项所述的微发光二极管转移装置,所述微发光二极管转移方法包括:
提供转移基板,所述转移基板一侧设有光敏胶层,多个微发光二极管通过所述光敏胶层阵列排布于所述转移基板上;以及
利用光源通过液晶光阀对所述转移基板上位于目标区域内的所述光敏胶层进行照射,以减小所述光敏胶层的粘性,使得所述微发光二极管脱离,并被目标基板粘附。
9.如权利要求8所述的微发光二极管转移方法,其特征在于,所述目标区域为所述目标基板上被拔除的不合格微发光二极管的区域,所述制作方法还包括:
进行转移前,对所述目标基板进行测试,以检测出所述目标基板上不合格的微发光二极管;以及
通过吸附部件吸附并转移不合格的所述微发光二极管。
10.如权利要求9所述的微发光二极管转移方法,其特征在于,所述光敏胶层的材料包括紫外线光敏胶或红外线光敏胶。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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