[发明专利]微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法在审

专利信息
申请号: 201911214312.1 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN111081604A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 樊勇 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L27/15;G02F1/1347;G02F1/139;G02F1/141
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 何辉
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 转移 装置 方法
【说明书】:

本揭示提供一种微发光二极管转移装置和微发光二极管转移方法,所述微发光二极管转移装置包括固持部件,用于固持转移基板;光源,用于提供面状光线;以及液晶光阀,设置于所述面状光线的传输路径上,包括多个子光阀,所述子光阀与转移基板上的微发光二极管相对应,通过控制子光阀的开启和关闭对穿过液晶光阀的光线进行过滤,以对转移基板进行选择性照射,使得被照射部分的微发光二极管因光敏胶粘性减弱从转移基板脱离,并粘附至目标基板上,实现对巨量的微发光二极管进行选择性转移的技术效果。

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法。

背景技术

微发光二极管(micro light emitting diode,Micro LED)显示装置为新一代显示技术,其结构是微型化LED阵列,即在一基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,故微LED技术可视为LED微缩化及矩阵化技术。

微发光二极管应用于显示装置中时,需要去掉位于LED底部的基板,然后再通过巨量转移的方式将微发光二极管转移至抗拉伸有机基材。要进行快速的巨量选择性转移,可以通过分子间作用力,利用结构性转移头进行转移。但结构性转移头的制作复杂,而且只能够进行固定位置的微发光二极管器件的阵列转移。在实际生产中,阵列排布并且数量巨多的微发光二极管中存在缺陷的微发光二极管的位置是不确定的。因此,如何对巨量的微发光二极管进行选择性转移是目前实现最终良率提升和成本降低的关键。

综上所述,现有微发光二极管转移装置存在无法实现对巨量的微发光二极管进行选择性转移的问题。故,有必要提供一种微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法来改善这一缺陷。

发明内容

本揭示实施例提供一种微发光二极管转移装置及微发光二极管转移方法,用于解决现有微发光二极管转移装置存在无法实现对巨量的微发光二极管进行选择性转移的问题。

本揭示实施例提供一种微发光二极管转移装置,包括:

固持部件,用于固持转移基板;

光源,用于提供面状光线;以及

液晶光阀,设置于所述面状光线的传输路径上,所述液晶光阀包括多个子光阀,所述子光阀与所述转移基板上的微发光二极管相对应。

根据本揭示一实施例,所述微发光二极管转移装置还包括吸附部件,所述吸附部件用于吸附并转移目标基板上不合格的微发光二极管。

根据本揭示一实施例,所述液晶光阀包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板之间设有交叉设置的光阻挡墙,相邻所述光阻挡墙与所述第一基板和所述第二基板形成所述子光阀,所述子光阀内填充有液晶。

根据本揭示一实施例,所述第一基板靠近所述第二基板一侧设有第一驱动电极,所述第二基板靠近所述第一基板一侧设有第二驱动电极,所述第一电极和所述第二电极的材料均为透明导电材料。

根据本揭示一实施例,所述第二驱动电极的驱动方式包括主动矩阵(activematrix,AM)驱动方式或被动矩阵(passive matrix,PM)驱动方式。

根据本揭示一实施例,所述第一基板远离所述第二基板一侧设有第一偏光片,所述第二基板远离所述第一基板一侧设有第二偏光片,所述第一偏光片和所述第二偏光片均为金属线栅型偏光片。

根据本揭示一实施例,所述光源包括紫外线光源或红外线光源。

本揭示实施例还提供一种微发光二极管转移方法,采用如上述的微发光二极管转移装置,所述微发光二极管转移方法包括:

提供转移基板,所述转移基板一侧设有光敏胶层,多个微发光二极管通过所述光敏胶层阵列排布于所述转移基板上;以及

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