[发明专利]一种同心锥TEM室场均匀性校准方法

权利要求书

1.一种同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，包含以下步骤：

将场强探头放入同心锥TEM室场均匀区中心，记为初始位置；

调节TEM室输入频率至下限试验频率，并馈入能产生标准场强的恒定前向功率，记录所述初始位置的场强读数和前向功率；

保持所述前向功率不变，围绕初始位置，沿不同方向确定第一位置、第二位置、第三位置和第四位置，四个所述位置形成的区域大小，能够将场强探头包围，且与初始位置场强相差绝对值均不大于设定范围；

分别记录所述第一位置、第二位置、第三位置和第四位置的场强读数和空间坐标；

步进调节输入频率至试验频率上限，重复上述步骤，得到试验频率范围内的同心锥TEM室场均匀区；

所述第一位置位于场均匀区底端介质平台表面，第一位置与内锥之间的距离大于初始位置与内锥之间的距离，所述第四位置靠近场均匀区顶端，第四位置与内锥之间的距离大于初始位置与内锥之间的距离；

所述第二位置位于场均匀区底端介质平台表面，第二位置与内锥之间的距离小于初始位置与内锥之间的距离，所述第三位置靠近场均匀区顶端，第三位置与内锥之间的距离小于初始位置与内锥之间的距离。

2.如权利要求1所述同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，所述四个位置与初始位置处于同一平面；首先沿外锥方向依次确定第一位置和第四位置，所述第一位置位于场均匀区底端，所述第四位置靠近场均匀区顶端，其次，沿内锥方向分别确定第二位置和第三位置，所述第二位置位于场均匀区底端，所述第三位置靠近场均匀区顶端。

3.如权利要求2所述同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，同心锥TEM室装置轴向垂直布置，同轴馈电在底部、匹配负载和吸波体在顶部。

4.如权利要求1所述同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，设定内锥中轴线和探头支撑介质平面的交点为坐标原点。

5.如权利要求1所述同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，还包括预热校准仪器，使信号发生器和放大器频率和幅度达到稳定，功率计完成自校准。

6.如权利要求1所述同心锥TEM室场均匀性校准方法，其特征在于，所述场强探头采用PMM公司的EP408定标探头。

7.如权利要求1~6任意一项所述方法，其特征在于，四个所述位置的场强与初始位置场强相差绝对值的设定范围为1dB。

8.如权利要求1~6任意一项所述方法，其特征在于，

以内锥中心为原点建立球坐标系，第一位置、第二位置、第三位置、第四位置和初始位置共面，在以内锥中心为原点的球坐标系中φ为常数的平面上。