[发明专利]一种同心锥TEM室场均匀性校准方法

说明书

本申请公开了一种同心锥TEM室场均匀性校准方法，包括：将场强探头放入同心锥TEM室场均匀区中心，记为初始位置；调节TEM室输入频率至下限试验频率，馈入能产生标准场强的恒定前向功率，记录所述初始位置的场强读数和前向功率；保持所述前向功率不变，围绕初始位置，沿不同方向确定第一位置、第二位置、第三位置和第四位置，四个位置形成的区域大小，能够将场强探头包围，且与初始位置场强相差绝对值均不大于设定范围；步进调节输入频率至试验频率上限，重复上述步骤，得到同心锥TEM室场均匀区。本申请填补了同心锥TEM室场均匀性校准方法空白，能够快速、准确地进行场均匀性校准。

技术领域

本申请涉及场均匀性校准领域，尤其涉及一种同心锥TEM室场均匀性校准方法。

背景技术

根据IEC61000-4-20标准，TEM室的场均匀性采用恒定功率法和恒定场强法进行校准。恒定功率校准法是通过对TEM室的的端口输入一个恒定的前向功率，然后用一个经校准的场强探头以指定的步长在每个频段内进行测量各个位置点。

校准程序是：将场探头置于TEM室内一测量位置点上，信号发生器的频率调到试验频率范围的下限频率；向TEM的端口输入一个恒定的前向功率，使场探头主轴的场强读数在标准允许的场强范围内，记录前向功率读数、探头的主轴场强读数和其他两轴读数；保持馈入TEM室的功率不变，测量并记录该频率下其他测试点处场探头的主轴场强读数和其他两轴读数；调节信号发生器输出频率，重复步骤第二步和第三步，直至下一频率超过试验频率的上限频率。

在每一频率点：将各个测量位置得到的主轴场强读数按升序排列，最小点读数和最大点读数应该在0dB～6dB的容差范围内；将各测量位置得到的其他两轴读数按升序排列，最小点读数和最大点读数应该在0dB～6dB容差范围内。

同心锥形TEM室类似于TEM室、GTEM室场强校准系统，同样是利用了双线传输线的原理，在同心锥形TEM室内部产生了可计算的场强，是一种基于标准场法的场强产生装置。由于采用了锥形内外导体，同心锥形TEM室宽带场强校准系统能够产生比TEM室、GTEM室、微波暗室场强校准系统更宽的工作带宽，工作在200MHz～40GHz频段。

然而较之常规TEM室，同心锥形TEM室场分布更加复杂，它产生的标准场由内锥指向外锥，在匹配负载附近可形成较大的均匀场区。用于探头校准的均匀区位置与相对于轴心的距离有关，而对相对于馈源的距离并不敏感。国内目前尚无针对同心锥TEM室场均匀性的校准方法，本申请设计的场均匀性校准方法可有效地解决以上不足，能够快速、准确地进行同心锥TEM室内的场均匀性校准。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种同心锥TEM室场均匀性校准方法，解决现有校准方法准确度不高和速度较慢的问题。

本申请实施例提供一种同心锥形TEM室场均匀性校准方法，包括以下步骤：将场强探头放入同心锥TEM室场均匀区中心，记为初始位置；调节TEM室输入频率至下限试验频率，并馈入能产生标准场强的恒定前向功率，记录所述初始位置的场强读数和前向功率；保持所述前向功率不变，围绕初始位置，沿不同方向确定第一位置、第二位置、第三位置和第四位置，四个所述位置形成的区域大小，能够将场强探头包围，且与初始位置场强相差绝对值均不大于设定范围；分别记录所述第一位置、第二位置、第三位置和第四位置的场强读数和空间坐标；步进调节输入频率至试验频率上限，重复上述步骤，得到试验频率范围内的同心锥TEM室场均匀区。

优选地，四个所述位置的场强与初始位置场强相差绝对值的设定范围为1dB，进一步优选地，四个所述位置的场强与初始位置场强相差绝对值为1dB。