[发明专利]半导体制造方法及工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

在一工艺腔室内接收一晶圆，该晶圆在一金属层上方具有一光刻胶遮罩，其中该工艺腔室连接至一气体来源；

在该工艺腔室内根据该光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻该金属层的一蚀刻剂；

在该工艺腔室中施加来自该气体来源的气体以进行等离子体灰化；以及

将该工艺腔室维持在摄氏40至60度，并且施加超过1600瓦的一来源功率以进行该等离子体灰化，其中该来源功率施加到该工艺腔室中的至少一个线圈，并且该工艺腔室包括将该至少一个线圈与该金属层分离的一壁。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该气体具有下列气体中的至少一种：纯氧气、纯氮气、以及氮气与氧气的一混合物。

3.如权利要求2所述的半导体制造方法，其中氮气与氧气的该混合物包括0％至10％的氧气。

4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该至少一个线圈面对该壁的一第一表面，并且该金属层面对相对于该第一表面的该壁的一第二表面。

5.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：

施加大约0瓦的一偏压功率以进行该等离子体灰化，

其中该晶圆接触一静电吸座，并且该偏压功率被施加到该静电吸座。

6.如权利要求5所述的半导体制造方法，其中该晶圆接触一静电吸座，并且该偏压功率被施加到该静电吸座。

7.一种半导体制造方法，包括：

在一工艺腔室内接收一晶圆，该晶圆在一金属层上方具有一光刻胶遮罩，其中该工艺腔室连接至一气体来源；

在该工艺腔室内根据该光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻该金属层的一蚀刻剂；

在该工艺腔室中施加来自该气体来源的气体以进行等离子体灰化；

将该工艺腔室维持在摄氏40至60度，并且施加超过1600瓦的一来源功率以进行该等离子体灰化；以及

从该工艺腔室移除在该等离子体灰化期间产生的灰化物，其中该来源功率施加到该工艺腔室中的至少一个线圈，并且该工艺腔室包括将该至少一个线圈与该金属层分离的一壁。

8.如权利要求7所述的半导体制造方法，还包括：

对整个该工艺腔室施加小于100毫托的一压力以进行该等离子体灰化。

9.如权利要求7所述的半导体制造方法，还包括：

将该工艺腔室维持在大约摄氏50度以进行该等离子体灰化。

10.如权利要求7所述的半导体制造方法，还包括：

在该工艺腔室中将来自该气体来源的该气体转化成等离子体的形式以进行该等离子体灰化。

11.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中该金属层形成在包括氧化硅的一下方层的顶部。

12.如权利要求7所述的半导体制造方法，其中来自该气体来源的该气体包括氧气。

13.如权利要求12所述的半导体制造方法，其中来自该气体来源的该气体包括0％至10％的氧气。

14.一种工艺腔室，包括：

一静电吸座，配置以固定一晶圆，且该静电吸座与一偏压功率连接；

至少一个线圈，与一来源功率连接，其中该工艺腔室维持在摄氏40至60度，并且在该来源功率超过1600瓦下进行等离子体灰化，其中该来源功率施加到该工艺腔室中的至少一个线圈，并且该工艺腔室包括一壁；

一蚀刻剂导管，配置以根据该晶圆的一光刻胶遮罩而在该工艺腔室内提供一蚀刻剂至该晶圆的一金属；以及

一气体吸入导管，与一气体来源连接，其中该气体吸入导管被配置以在该工艺腔室内的该等离子体灰化进行期间供应该工艺腔室来自该气体来源的一气体。