[发明专利]半导体制造方法及工艺腔室

说明书

一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体制造方法及工艺腔室，特别涉及一种原位金属蚀刻以及等离子体灰化的方法及工艺腔室。

背景技术

晶圆(例如，半导体工件、半导体装置或半导体材料)的典型工艺可利用分离的腔室进行蚀刻以及等离子体灰化。蚀刻可使用于在制造期间从晶圆表面去除材料。例如，在蚀刻中，可以通过抵抗蚀刻的遮罩材料保护晶圆的一部分免于蚀刻。然后，可通过将蚀刻剂施加到晶圆的暴露部分以蚀刻晶圆。蚀刻通常在蚀刻专用的蚀刻腔室中进行。

等离子体灰化可以是从蚀刻的晶圆上去除光刻胶的工艺。使用等离子体来源，产生反应性物质。反应性物质与光刻胶结合形成灰化物，可用真空泵将其去除。等离子体灰化通常在与蚀刻腔室分离的灰化腔室(例如，光刻胶剥离腔室以及/或冷却腔室)中进行。这种工艺技术需要大量的开销，但是仍然不能产生令人满意的结果。因此，现有的工艺技术并非完全令人满意的。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体制造的方法，包括在工艺腔室内接收晶圆，此晶圆在金属层上方具有光刻胶遮罩，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体制造的方法，包括在工艺腔室内接收晶圆，此晶圆在金属层上方具有光刻胶遮罩，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。所述半导体制造方法还包括从工艺腔室移除在等离子体灰化期间产生的灰化物。

根据本公开的一些实施例，提供一种工艺腔室包括静电吸座、至少一个线圈、蚀刻剂导管、气体吸入导管。静电吸座配置以固定晶圆，且静电吸座与偏压功率连接。至少一个线圈与来源功率连接。蚀刻剂导管配置以根据晶圆的光刻胶遮罩而在工艺腔室内提供蚀刻剂至晶圆金属。气体吸入导管与气体来源连接，其中气体吸入导管被配置以在工艺腔室内的等离子体灰化进行期间供应工艺腔室来自气体来源的气体。

附图说明

从以下的详细描述并阅读说明书附图以最佳理解本公开的各方面。应注意的是，不同特征并未一定按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小不同特征的大小及几何尺寸，以做清楚的说明。

图1示出了根据本公开的一个或多个实施例的在半导体工艺腔室内原位(insitu)进行金属蚀刻以及等离子体灰化的方法的流程图。

图2A、图2B以及图2C示出了根据一些实施例的在通过图1的方法制造的各个制造阶段期间的示例性半导体装置的剖面图。

图3是根据一些实施例的工艺腔室的图。

图4是根据一些实施例的工作站的图示。

图5是根据一些实施例的工作站的各种功能模块的方框图。

附图标记说明：

100 方法

102、104、106 操作

200 半导体装置

202 光刻胶

204 金属层

206 开口

208 下方层