[发明专利]中介体及包括其的半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

中介体，包括：

多个连接结构，被设置为彼此间隔开，并且均包括相应的绝缘层和相应的多个重新分布层，所述相应的多个重新分布层设置在所述相应的绝缘层中或上并彼此电连接，所述多个连接结构的不同连接结构的所述重新分布层彼此平行；以及

钝化层，覆盖所述多个连接结构中的每个的至少一部分，并填充所述多个连接结构之间的空间的至少一部分；

第一半导体芯片，设置在所述中介体上，并且具有多个第一连接垫；以及

第二半导体芯片，在所述中介体上与所述第一半导体芯片相邻设置，并且具有多个第二连接垫，

其中，所述多个连接结构独立地被设置为均在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在所述中介体上的堆叠方向上与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个至少部分地叠置，

所述多个连接结构中的每个的所述多个重新分布层电连接到所述多个第一连接垫和所述多个第二连接垫中的至少一个，并且

所述绝缘层和所述钝化层包括不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述绝缘层和所述钝化层均包括感光绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，

其中，所述绝缘层是正型感光绝缘层，并且

所述钝化层是负型感光绝缘层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个连接结构中的每个的所述绝缘层的面向所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的最上表面与所述钝化层的接触所述最上表面的表面共面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中介体还包括多个凸块下金属，所述多个凸块下金属均包括金属垫和金属过孔，所述金属垫设置在所述钝化层上，所述金属过孔穿过所述钝化层并将所述金属垫和所述连接结构的所述多个重新分布层的重新分布层电连接，

其中，所述多个凸块下金属分别经由多个连接构件电连接到所述多个第一连接垫和所述多个第二连接垫。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述多个连接构件包括从由锡和包含锡的合金组成的组中选择的低熔点金属。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，多个第一金属凸块和多个第二金属凸块分别设置在所述多个第一连接垫和所述多个第二连接垫上，并分别连接到所述多个连接构件。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括底填充树脂，所述底填充树脂设置在所述中介体上，并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片与所述中介体之间的所述多个凸块下金属、所述多个连接构件以及所述多个第一金属凸块和所述多个第二金属凸块中的每个的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括包封剂，所述包封剂设置在所述中介体上，并覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以及所述底填充树脂中的每个的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个的与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每个的面向所述中介体的下表面相对的上表面与所述包封剂的与所述包封剂的面向所述中介体的下表面相对的上表面共面。