[发明专利]中介体及包括其的半导体封装件

说明书

本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件，所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体，多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层，钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分，并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫，并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。

本申请要求于2018年12月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0156194号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种中介体及包括其的半导体封装件。

背景技术

中介体市场由于对产品的器件(set)的高质量要求和高带宽存储器(HBM)的应用而正在增长。近来，已主要将硅用作中介体的材料。例如，在使用中介体的半导体封装件的情况下，可将芯片表面安装在硅基中介体上，然后可用模制材料模制中介体，以制备半导体封装件。

另外，近来，随着对器件的质量要求已增加，与传统的产品相比，中介体的尺寸由于HBM的数量增大而变得更大。因此，工艺难度将增大以及由此而产生的良率将降低的高的风险正在出现。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种半导体封装件，该半导体封装件在仍然能够提供具有相对大的面积的中介体的同时能够降低工艺难度，增大工艺中的效率和良率，并解决翘曲或未对准问题。

根据本公开的一方面，多个连接结构通过分离具有不同工艺难度的重新分布区域制备，所述多个连接结构平行地设置在单个钝化层中以形成中介体，并且多个半导体芯片设置在所述中介体上并电连接到所述中介体。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括具有多个连接结构的中介体，所述多个连接结构被设置为彼此间隔开，并且均包括相应的绝缘层和相应的多个重新分布层，所述相应的多个重新分布层设置在所述相应的绝缘层中或上并彼此电连接，所述多个连接结构的不同连接结构的所述重新分布层彼此平行。所述中介体还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述多个连接结构中的每个的至少一部分，并填充所述多个连接结构之间的空间的至少一部分。第一半导体芯片设置在所述中介体上，并具有多个第一连接垫，并且第二半导体芯片在所述中介体上与所述第一半导体芯片相邻设置并具有多个第二连接垫。所述多个连接结构独立地被设置为均在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在所述中介体上的堆叠方向上与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个至少部分地叠置。所述多个连接结构中的每个的所述多个重新分布层电连接到所述多个第一连接垫和所述多个第二连接垫中的至少一个，并且所述绝缘层和所述钝化层包括不同的材料。

根据本公开的另一方面，一种半导体封装件包括具有多个连接结构的中介体，所述多个连接结构被设置为彼此间隔开，并均包括彼此电连接的相应的多个重新分布层，所述多个连接结构的不同连接结构的所述重新分布层彼此平行。所述中介体还包括：钝化层，覆盖所述多个连接结构中的每个的至少一部分，并填充所述多个连接结构之间的至少一部分；以及多个凸块下金属，均包括金属垫和金属过孔，所述金属垫设置在所述钝化层上，所述金属过孔穿过所述钝化层并将所述金属垫和所述多个重新分布层的重新分布层电连接。第一半导体芯片设置在所述中介体上并具有多个第一连接垫，并且第二半导体芯片在所述中介体上与所述第一半导体芯片相邻设置并具有多个第二连接垫。所述多个连接结构被设置为均在所述第一半导体芯片在所述中介体上的堆叠方向上与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个至少部分地叠置。所述多个连接结构中的每个的所述多个重新分布层经由所述多个凸块下金属电连接到所述多个第一连接垫和所述多个第二连接垫中的至少一个。