[发明专利]显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911217486.3 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111129323B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 吴永伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 锡基钙钛矿 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种锡基钙钛矿发光器件，其特征在于，包括：
阳极层；
空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极层上；
发光层，所述发光层设置于所述空穴传输层上，所述发光层包括钙钛矿薄膜；所述钙钛矿薄膜为锡基钙钛矿薄膜；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述发光层上；
阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层上；
所述锡基钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂；
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。
2.如权利要求1所述的锡基钙钛矿发光器件，其特征在于，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
3.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-2任一项所述的锡基钙钛矿发光器件。
4.一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板层，在所述衬底基板层上形成阳极层；
在所述阳极层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成发光层，形成所述发光层的步骤包括涂覆锡基钙钛矿溶液，对所述锡基钙钛矿溶液进行热处理形成钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜为锡基钙钛矿薄膜；所述锡基钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂，所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂；
在所述发光层上依次层叠设置电子传输层及阴极层；
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。
5.如权利要求4所述锡基钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3％-35％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911217486.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
