[发明专利]显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911217486.3 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN111129323B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 吴永伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 锡基钙钛矿 发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供了一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法,所述锡基钙钛矿发光器件包括阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,所述空穴传输层设置于所述阳极层上,所述发光层设置于所述空穴传输层上,所述发光层包括钙钛矿薄膜,所述电子传输层设置于所述发光层上,所述阴极层设置于所述电子传输层上,所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。通过将仲胺类抗氧化剂引入发光层中,进而将仲胺类抗氧化剂应用于锡基钙钛矿发光器件中。

技术领域

本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法。

背景技术

因含铅元素的钙钛矿材料含有毒性,目前,通常采用含有锡元素的钙钛矿材料作为活性层,但锡基钙钛矿中的二价锡容易被氧化成四价锡,导致过度P型自掺杂,进而影响了锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能,且生产成本高。

发明内容

本申请提供一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法,以提高锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能。

本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件,包括:

阳极层;

空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极层上;

发光层,所述发光层设置于所述空穴传输层上,所述发光层包括钙钛矿薄膜;

电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层上;

阴极层,所述阴极层设置于所述电子传输层上;

所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3%-35%。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为所述A1基团和所述A2基团选自芳香烃衍生物基团和杂环类衍生物基团中的一种。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为

所述A1基团和A2基团选自中的一种。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,

所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。

本申请提供一种显示面板,包括所述的锡基钙钛矿发光器件。

本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法,包括以下步骤:

提供一衬底基板层,在所述衬底基板层上形成阳极层;

在所述阳极层上依次设置空穴传输层;

在所述空穴传输层上形成发光层,形成发光层的步骤包括涂覆锡基钙钛矿溶液,对所述涂覆锡基钙钛矿溶液进行热处理形成钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂;

在所述发光层上依次层叠设置电子传输层及阴极层。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3%-35%。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为

所述A1和所述A2选自中的一种。

在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,

所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。

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