[发明专利]显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201911217486.3 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN111129323B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 吴永伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 锡基钙钛矿 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
本申请提供了一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法,所述锡基钙钛矿发光器件包括阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层,所述空穴传输层设置于所述阳极层上,所述发光层设置于所述空穴传输层上,所述发光层包括钙钛矿薄膜,所述电子传输层设置于所述发光层上,所述阴极层设置于所述电子传输层上,所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。通过将仲胺类抗氧化剂引入发光层中,进而将仲胺类抗氧化剂应用于锡基钙钛矿发光器件中。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法。
背景技术
因含铅元素的钙钛矿材料含有毒性,目前,通常采用含有锡元素的钙钛矿材料作为活性层,但锡基钙钛矿中的二价锡容易被氧化成四价锡,导致过度P型自掺杂,进而影响了锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能,且生产成本高。
发明内容
本申请提供一种显示面板、锡基钙钛矿发光器件及其制备方法,以提高锡基钙钛矿发光器件的稳定性及性能。
本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件,包括:
阳极层;
空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极层上;
发光层,所述发光层设置于所述空穴传输层上,所述发光层包括钙钛矿薄膜;
电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层上;
阴极层,所述阴极层设置于所述电子传输层上;
所述钙钛矿薄膜中包括抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3%-35%。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为所述A1基团和所述A2基团选自芳香烃衍生物基团和杂环类衍生物基团中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
所述A1基团和A2基团选自中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件中,
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。
本申请提供一种显示面板,包括所述的锡基钙钛矿发光器件。
本申请提供一种锡基钙钛矿发光器件的制备方法,包括以下步骤:
提供一衬底基板层,在所述衬底基板层上形成阳极层;
在所述阳极层上依次设置空穴传输层;
在所述空穴传输层上形成发光层,形成发光层的步骤包括涂覆锡基钙钛矿溶液,对所述涂覆锡基钙钛矿溶液进行热处理形成钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜中含有抗氧化剂,所述抗氧化剂为仲胺类抗氧化剂;
在所述发光层上依次层叠设置电子传输层及阴极层。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,所述抗氧化剂在所述钙钛矿薄膜中的质量分数为3%-35%。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,所述仲胺类抗氧化剂的结构式为
所述A1和所述A2选自中的一种。
在本申请所提供的锡基钙钛矿发光器件的制备方法中,
所述仲胺类抗氧化剂的结构式包括中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911217486.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择