[发明专利]半导体晶片表面保护剂有效
| 申请号： | 201911218723.8 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111500196B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 坂西裕一 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 | ||
1.一种组合物作为涂布于半导体晶片表面而保护半导体晶片表面的保护剂的用途，该组合物含有下述式(1)表示的化合物和水，且所述化合物的含量为不挥发成分总量中的90重量％以上，所述化合物的含量为所述组合物总量的5～30重量％，
R1O-(C3H6O2)n-H(1)
式(1)中，
R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R2CO表示的基团，所述R2表示碳原子数1～24的烃基，
n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～10。
2.根据权利要求1所述的用途，其中，式(1)表示的化合物的分子量为200～3000。
3.根据权利要求1或2所述的用途，其中，半导体晶片表面为硅晶片表面。
4.一种半导体晶片表面的低缺陷化方法，该方法包括：
使用含有下述式(1)表示的化合物和水、且所述化合物的含量为不挥发成分总量中的90重量％以上、所述化合物的含量为组合物总量的5～30重量％的组合物对半导体晶片的表面进行低缺陷化，
R1O-(C3H6O2)n-H(1)
式(1)中，
R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R2CO表示的基团，所述R2表示碳原子数1～24的烃基，
n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～10。
5.一种半导体器件的制造方法，该方法包括：
通过用含有下述式(1)表示的化合物和水、且所述化合物的含量为不挥发成分总量中的90重量％以上、所述化合物的含量为组合物总量的5～30重量％的组合物包覆半导体晶片表面而对其进行保护、同时进行研磨的工序，
R1O-(C3H6O2)n-H(1)
式(1)中，
R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1～24的烃基、或R2CO表示的基团，所述R2表示碳原子数1～24的烃基，
n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度，为2～10。
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