[发明专利]一种可控硅加热控制方法、装置、存储介质和家用电器

权利要求书

1.一种可控硅加热控制方法，其特征在于，所述方法包括：

获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；

根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；

将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；

根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；

根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度；

当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述初始加热功率进行调整之后，所述方法还包括：

在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数，包括：

根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，包括：

将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；

根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；

将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。

5.一种可控硅加热控制装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取可控硅在当前加热模式下的初始温度和对应的初始加热功率；

处理模块，用于根据所述初始温度和初始加热功率确定所述可控硅在加热过程中的实时温度；

所述处理模块，包括：

匹配单元，用于将所述初始温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述初始温度所属的第一温度区间；

获取单元，用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率获取所述可控硅在当前加热状态下对应的第一升温系数；

计算单元，用于根据所述初始温度、第一升温系数以及加热时间利用预设的升温模型计算所述可控硅在加热过程中的实时温度；

控制模块，用于当所述实时温度大于所述可控硅对应的温度阈值时，对所述初始加热功率进行调整，以使所述可控硅的实时温度降低至低于所述温度阈值。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述控制模块，还用于在对所述初始加热功率进行调整之后，在以调整后的加热功率加热预设时间长度后，将当前加热功率恢复至所述初始加热功率，并以所述初始加热功率进行加热控制。

7.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述获取单元，具体用于根据所述第一温度区间和所述初始加热功率查找预设的升温系数对应表，以获取所述可控硅在当前加热状态下的第一升温系数，所述升温系数对应表中存储有属于不同第一温度区间的可控硅在不同加热功率下所对应的第一升温系数。

8.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，所述匹配单元，还用于将所述实时温度与预设的温度区间进行匹配，确定所述实时温度所属的第二温度区间；

所述计算单元，还用于根据所述实时温度利用预设的升温模型确定目标加热功率，所述目标加热功率为在所述第二温度区间下使得所述可控硅的升温曲线呈下降趋势的加热功率；

相应的，所述控制模块，还用于将所述初始加热功率降低至所述目标加热功率。