[发明专利]晶体管的开启电压的测试方法及测试装置

权利要求书

1.一种晶体管的开启电压的测试方法，其中，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述测试方法包括：

获得第一测量开启电压以及检测目标电流；

对所述晶体管的源漏电流进行多个测试步骤，其中，所述多个测试步骤每个包括：

对所述栅极施加测量电压，

在所述源极和所述漏极之间施加源漏电压的同时，测量所述源极与所述漏极之间的测量电流，

其中，所述多个测试步骤的多个测量电压彼此不同，所述源漏电压在所述多个测试步骤中保持不变，且在第一个测试步骤中采用所述第一测量开启电压作为测量电压，多个测试步骤的多个测量电流所构成的测量电流区间覆盖所述检测目标电流；以及

基于所述测量电流区间中与所述检测目标电流紧邻的两个测量电流以及与所述两个测量电流分别对应的测试步骤中的两个测量电压，获得所述晶体管的开启电压，其包括：

获得所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值，

根据所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值基于跨导法，得到所述晶体管的开启电压。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其中，除最后一个测试步骤之外，所述多个测试步骤的每个还包括：

比较所述测量电流与所述检测目标电流，

当所述测量电流小于所述检测目标电流时，将所述测试步骤中的测量电压增加一个预设改变电压值，以得到用于下一个测试步骤的测量电压；或者

当所述测试步骤中的所述测量电流大于所述检测目标电流时，所述测试步骤中的测量电压减小一个预设改变电压值，以得到用于下一个测试步骤的测量电压。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其中，在每个测试步骤中，所述预设改变电压值的大小相同。

4.根据权利要求2所述的测试方法，其中，所述多个测试步骤的每个还包括：

当所述测试步骤中的所述测量电流等于所述检测目标电流时，将所述测试步骤中的所述测量电流对应的测试步骤中的测量电压确定为所述晶体管的开启电压。

5.根据权利要求1所述的测试方法，其中，根据所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值基于跨导法得到所述晶体管的开启电压包括：

根据所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值确定与栅极电压-源漏电流的标准曲线相切的直线，

根据所述直线与所述栅极电压-源漏电流的标准曲线的横坐标的交点获得第一栅极截止电压，

根据所述第一栅极截止电压以及所述源漏电压得到所述晶体管的开启电压。

6.根据权利要求1所述的测试方法，其中，所述测量电流区间中与所述检测目标电流紧邻的两个测量电流的其中一个大于所述检测目标电流，其中另一个小于所述检测目标电流。

7.根据权利要求3所述的测试方法，其中，所述预设改变电压值的取值范围为大于等于0.00001伏且小于等于0.001伏。

8.根据权利要求1所述的测试方法，其中，获得第一测量开启电压以及检测目标电流包括：

设置测试电压上限、测试电压下限以及所述检测目标电流；

对所述栅极逐步施加所述测试电压上限以及所述测试电压下限范围内的电压，测试所述源极与所述漏极之间的源漏电流，基于所述源漏电流对应的电压得到所述第一测量开启电压。

9.根据权利要求1所述的测试方法，其中，所述检测目标电流为大于等于0.1微安且小于等于10微安，所述源漏电压为大于等于0.01伏且小于等于1伏。

10.一种晶体管的开启电压测试装置，包括：

电压施加装置，配置为对所述晶体管的栅极施加测量电压，且在所述晶体管的源极和所述晶体管的漏极之间施加源漏电压；

电流检测装置，配置为测量所述源极以及所述漏极之间的测量电流；以及

控制器，与所述电压施加装置以及所述电流检测装置通信，所述控制器配置为控制所述电压施加装置以及所述电流检测装置，为：

获得第一测量开启电压以及检测目标电流；

对所述晶体管的源漏电流进行多个测试步骤，其中，所述多个测试步骤每个包括：

对所述栅极施加测量电压，

在所述源极和所述漏极之间施加源漏电压的同时，测量所述源极与所述漏极之间的测量电流，

其中，所述多个测试步骤的多个测量电压彼此不同，所述源漏电压在所述多个测试步骤中保持不变，且在第一个测试步骤中采用所述第一测量开启电压作为测量电压，多个测试步骤的多个测量电流所构成的测量电流区间覆盖所述检测目标电流；以及

基于所述测量电流区间中与所述检测目标电流紧邻的两个测量电流以及与所述两个测量电流分别对应的测试步骤中的两个测量电压，获得所述晶体管的开启电压，其包括：

获得所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值，

根据所述两个测量电流的变化量与所述两个测量电压的变化量的比值基于跨导法，得到所述晶体管的开启电压。